奧運(yùn)冠軍代言全新小米手機(jī) Civi，納微半導(dǎo)體與小米四度合作！

納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。

2021-10-08 標(biāo)簽：OLED氮化鎵小米 2.4k 0

通用適配器來了，氮化鎵技術(shù)做后盾

在過去的半個(gè)世紀(jì)，硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)，原因很顯然：到現(xiàn)在為止，硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在，面對(duì)一種可提...

2017-05-22 標(biāo)簽：適配器氮化鎵da8801 2.4k 0

2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)6月21-23日濟(jì)南召開

半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石，其生長技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。

2024-05-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.3k 0

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布，輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的功率需求

納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)電源能在最小尺寸下，為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...

2024-07-26 標(biāo)簽：電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 2.3k 0

最新一代 GaN 器件為功率器件帶來智能和自主性

氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導(dǎo)體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅基設(shè)備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器設(shè)計(jì) 2.3k 0

功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績同比增長達(dá)73%

1 得益于移動(dòng)快充、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動(dòng)汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長，納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長達(dá)73%。...

2024-05-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 2.3k 0

GaN 硅橋反向恢復(fù)測量

測量一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器中的反向恢復(fù)不太容易。電流探頭太大，并且會(huì)大幅增加功率級(jí)環(huán)路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個(gè)分流電阻器怎么樣？這聽起來...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵evm 2.3k 0

直擊氮化鎵領(lǐng)域的無限可能！ 讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技

中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來，雙方將攜手克服...

2022-04-25 標(biāo)簽：泰克氮化鎵英諾賽科 2.3k 0

高中低壓全品線布局！一家快速發(fā)展的國產(chǎn)氮化鎵IDM芯片廠商

據(jù)了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來，公司的發(fā)展勢頭愈發(fā)亮眼，已研發(fā)出了650V、900V系列...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片新能源汽車氮化鎵 2.3k 0

大賽資訊|華南賽區(qū)第一名：晶通半導(dǎo)體（JTM）獲千萬級(jí)人民幣種子輪戰(zhàn)略融資

晶通半導(dǎo)體（JTM）的智能驅(qū)動(dòng)Smart-Driver? 技術(shù)支持多種驅(qū)動(dòng)智能功能，提高了氮化鎵器件的可靠性、開關(guān)頻率、效率和用戶易用等性能。

2021-10-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵激光雷達(dá) 2.3k 0

DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)寄生效應(yīng)解析

DC/DC 轉(zhuǎn)換器中半導(dǎo)體器件的高頻開關(guān)特性是主要的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射源。本文章系列 的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模 （DM） 和共模 （C...

2019-09-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 2.3k 0

低成本垂直GaN（氮化鎵）功率器件的優(yōu)勢

GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型...

2023-09-13 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2.3k 0