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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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與傳統(tǒng)硅相比,這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處,包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。
2023-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 518 0
雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來(lái)說(shuō)起步晚了點(diǎn),但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛,所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來(lái)說(shuō),評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...
2023-11-02 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 489 0
 
                                                        
                            25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件(如MOSFET)、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝,...
據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報(bào)道,該分院計(jì)算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會(huì)同德國(guó)保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所(柏林)的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)計(jì)算了激子(一種準(zhǔn)粒...
電子工程師解答電路設(shè)計(jì)、元器件選型等問(wèn)題
近幾年,隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及,人們對(duì)于快速充電的需求越來(lái)越高。在這樣的趨勢(shì)下,愛(ài)美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案,其高效、安全、快速...
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況 增長(zhǎng)勢(shì)頭過(guò)于強(qiáng)勁
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長(zhǎng),因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無(wú)晶圓廠,這在一...
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
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