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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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閃極Retro 35W氮化鎵充電器，重現(xiàn)經(jīng)典電腦造型
經(jīng)典麥金塔設(shè)計(jì)，充電狀態(tài)屏幕，挑戰(zhàn)充電器設(shè)計(jì)創(chuàng)新可能 5 月 20 日，閃極科技正式發(fā)布 Retro 35 充電器。該產(chǎn)品采用復(fù)古電腦設(shè)計(jì)，在第三代半導(dǎo)...
氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后，氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì)大家也都有所耳聞了。更快的開關(guān)速度省去了更多的無源器件，從而實(shí)現(xiàn)了更小的體積和更低的成本；更小的開關(guān)損耗...
2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2k 0
電動(dòng)汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對(duì)緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
2022-08-05 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2k 0
從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...
2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 2k 0
西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線，中國科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...
2023-09-25 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 2k 0
智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機(jī)降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多輪的產(chǎn)能狂飆后，擴(kuò)張?jiān)鏊龠M(jìn)入調(diào)整期。但新能源動(dòng)儲(chǔ)賽道發(fā)展大勢(shì)仍為全球共識(shí)，或?qū)⑷匀皇俏磥碓鏊佥^快的行業(yè)之一。
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。
半導(dǎo)體市場(chǎng)剛起步誰能成為下個(gè)勝利者？
過去30年，臺(tái)積電、聯(lián)電擅長制造的邏輯IC，基本上都是以硅做為材料。「硅基本上是一種相當(dāng)全能的材料?！构ぱ性寒a(chǎn)業(yè)科技國際策略發(fā)展所研究總監(jiān)楊瑞臨觀察。
2021-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2k 0
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...
英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵
在近日的業(yè)內(nèi)電源展會(huì)上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應(yīng)用，一款功率為65W的USB PD充電器。
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
2023-11-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車OLED屏氮化鎵 2k 0
氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理
近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署...
2023-03-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2k 0
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 標(biāo)簽：CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 2k 0
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷"電力革命"。宏微科技作為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，模塊產(chǎn)品已批量應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電...
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 標(biāo)簽：氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 2k 0
氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)
為了提高采用率，電動(dòng)汽車必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...
2022-12-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車DC-DC氮化鎵 2k 0
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會(huì)上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，甚至，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級(jí)”快充作為宣傳自家旗艦的一大亮點(diǎn)。
意法半導(dǎo)體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體無線網(wǎng)絡(luò)氮化鎵 1.9k 0
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