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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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金沙江第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片應(yīng)用項(xiàng)目簽約鶴壁
徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱金沙江半導(dǎo)體）據(jù)官方消息，公司在2021年被設(shè)立，項(xiàng)目發(fā)起人氮化鎵（的）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力...
三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元
2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。 公告顯示，根據(jù)三安光電...
ACM8816 300W大功率單聲道數(shù)字功放IC、國內(nèi)首款氮化鎵音頻功率放大器
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時，驅(qū)動到4Ω可...
合粵固態(tài)電容概述、分類及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化家是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
隨著電動汽車和無人機(jī)等高功率設(shè)備的快速發(fā)展，對快速、高功率和高效的充電需求也越來越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導(dǎo)體材料，可以幫助滿足這些需求。在本...
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈?..
2023-10-07 標(biāo)簽：MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 2.6k 0
近日，小米上架了兩款充電器，一個是小米充電器120W秒充版，售價(jià)249元，另一個是小米氮化鎵GaN充電器55W，售價(jià)99元。兩款充電器均附送數(shù)據(jù)線。
2025年全球Micro LED市場規(guī)模將達(dá)35億美元
Micro LED市場空間有望進(jìn)一步打開。
2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體LED技術(shù)LED芯片 2.5k 0
用于太陽光紫外線指數(shù)檢測領(lǐng)域的紫外線傳感器
紫外線指數(shù)是指當(dāng)太陽在天空中的位置最高時（一般是在中午前后，即從上午十時至下午三時的時間段里），到達(dá)地球表面的太陽光線中的紫外線輻射對人體皮膚的可能損傷...
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
硅是最常見的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.5k 0
圖1. FP腔邊發(fā)射激光器、DFB邊發(fā)射激光器、VCSEL和PCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖、典型遠(yuǎn)場發(fā)散角及輸出光譜特性。 常規(guī)的半導(dǎo)體激光器，如Fabry–P...
氮化鎵充電器方案之多口協(xié)議IP2726 A+C共享方案
英集芯廠家推出一款I(lǐng)P2726改進(jìn)版本，可以很好地解決此類問題，具體型號為IP2726_BS1的多口協(xié)議芯片，在氮化鎵充電器方案中的A+C共享方案采樣電...
去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵...
在日本政府推行新能源車鼓勵政策下，日本廠商正在積極擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn)
對于技術(shù)的追求以及資本推動下，日本在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域一直擁有強(qiáng)大的實(shí)力。據(jù)悉，目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)提供，他們憑借先...
2021-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 2.5k 0
小米納微三度攜手，小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布！
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用...
氮化鎵技術(shù)再突破！英飛凌重磅發(fā)布新品，助力人形機(jī)器人能效革新
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日，在英飛凌ICIC峰會上，英飛凌首次在國內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μ...
2025-03-20 標(biāo)簽：氮化鎵 2.5k 0
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
ZENDURE推出30W SuperHub氮化鎵超級擴(kuò)展塢 充電器與擴(kuò)展塢二合一
擴(kuò)展塢的輸入接口設(shè)計(jì)在了背后，接口類型為常見的8字線輸入口，同時底部還加入了防滑墊的設(shè)計(jì)，保障擴(kuò)展塢工作時的穩(wěn)定不滑動。
Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設(shè)計(jì)套件。與此同時，37支學(xué)生隊(duì)伍已整裝待發(fā)，將參加于8月24日開始的普利司通世...
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...
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