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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NV...
2024-06-21 標簽：聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.5k 0
近年來，氮化鎵開關(guān)非?；鸨琍I的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關(guān)。閻金光說，氮化鎵開關(guān)導(dǎo)通電阻低，比...
MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管，實現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍
“固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動整個市場劃分?！盡ACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murp...
納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術(shù)登場
增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)...
世界首個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片和一對氮化鎵晶體管的MasterGaN產(chǎn)品平臺
ST獨有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗的專業(yè)知識和設(shè)計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的...
由于對設(shè)計、制造業(yè)者來說，資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗，因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展，如今，已演變?yōu)闃I(yè)界擴大合作，加快產(chǎn)業(yè)...
2020-04-07 標簽：氮化鎵 2.4k 0
放眼當下市場，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時也蘊藏著巨大的商機。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動MTCD-mode GaN F...
外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實施出口管制。對此我國外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制是中方...
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案，覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓撲架構(gòu)
前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動器+GaN功率器件等，電路設(shè)計復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使...
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些？
2023年，半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 （GaN） 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場...
GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時，Ga...
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...
亞成微氮化鎵功率集成方案滿足小型化大功率快充電源設(shè)計要求
2021（秋季）USB PD & Type-C 亞洲展將于12月在深圳舉辦。屆時，亞成微產(chǎn)品經(jīng)理周聰先生將為大家分享多款PD快充 GaN和超結(jié)M...
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
麥科信OIP系列光隔離探頭應(yīng)用場景之——助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題
作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計好芯片，還要親自設(shè)計和驗證很多應(yīng)用方案供下游客...
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