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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

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大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽:中國(guó)芯SiC氮化鎵 2.7k 0

EPC開(kāi)拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái), 旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng) 和加快產(chǎn)品

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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Ta...

2022-06-13 標(biāo)簽:EPC功率氮化鎵 2.7k 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 2.7k 0

產(chǎn)品應(yīng)用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強(qiáng)性能快充

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前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強(qiáng)性能氮化鎵充電器A2655,產(chǎn)品由蘋果獨(dú)家提供,現(xiàn)已上架蘋果商城。產(chǎn)品配備多達(dá)四口USB-C快...

2024-12-23 標(biāo)簽:芯片氮化鎵東科 2.7k 0

鎵未來(lái)TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺(tái)

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珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè),致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2024-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 2.7k 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件?氮化鎵半導(dǎo)體器件特點(diǎn)是什么?

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物質(zhì),化學(xué)式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似,硬度非...

2023-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.7k 0

解決方案 | 全氮化鎵65W充電器充電寶二合一 大容量 大功率

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智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一,所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多,協(xié)議支持全面,內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管等控制邏輯,支持?jǐn)?shù)...

2023-06-19 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 2.7k 0

紫米33W氮化鎵充電器延遲上架

日前,紫米公司發(fā)布致歉公告,表示ZMI 33W氮化鎵充電器,因不可抗力原因?qū)е聼o(wú)法如期上市,具體日期待定中,更新進(jìn)度會(huì)及時(shí)告與大家,望理解體諒。

2021-03-08 標(biāo)簽:充電器連接器氮化鎵 2.7k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化鎵平臺(tái)NV6169功率芯片

美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169...

2022-05-11 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.7k 0

電友X21氮化鎵充電器

現(xiàn)在手機(jī)的充電速度越來(lái)越快,同時(shí)配套充電器的體積也越來(lái)越大,好在氮化鎵充電器逐漸普及,大大縮小了充電器的體積,而且適用范圍也越來(lái)越廣,隨著技術(shù)的成熟,今...

2020-11-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵快充技術(shù) 2.6k 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

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第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 2.6k 0

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無(wú)鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標(biāo)簽:FET氮化鎵宜普 2.6k 0

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唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布...

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氮化鎵悄然滲透,掘金電動(dòng)兩輪車市場(chǎng)

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2022-11-24 標(biāo)簽:氮化鎵 2.6k 0

65W氮化鎵(1A2C)PD快充電源方案

65W氮化鎵(1A2C)PD快充電源方案

愛(ài)美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭,采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤(rùn)新微 GaN-MOS,充電器具備 2...

2023-04-07 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體氮化鎵 2.6k 0

氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動(dòng)5G無(wú)線更快發(fā)展

在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門,其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低,與LDMOS相當(dāng),遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。

2018-11-24 標(biāo)簽:射頻無(wú)線氮化鎵 2.6k 0

采用智融SW3516H/SW3526的航嘉100W氮化鎵快充,性能十分亮眼!

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航嘉100W氮化鎵快充采用智融SW3516H/SW3526

2023-05-31 標(biāo)簽:氮化鎵快充 2.6k 0

國(guó)產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破,1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)?

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眾所周知,GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問(wèn)題之一是它們?cè)陂_(kāi)關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加,這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。

2023-11-22 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻氮化鎵開(kāi)關(guān)器件 2.6k 0

第三代半導(dǎo)體性價(jià)比優(yōu)勢(shì)日益凸顯 但規(guī)模商用尚需時(shí)日

? 近期,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢(shì),“第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達(dá)摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)并正在打開(kāi)應(yīng)用市...

2021-01-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 2.6k 0

納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易

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氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(“納微”)的股票,正式開(kāi)始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。

2021-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.6k 0

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