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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 3k 0
近年來，因?yàn)?5G 的應(yīng)用，大家對(duì)射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為，GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場(chǎng)前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對(duì)推動(dòng)Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
本實(shí)驗(yàn)通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長的起始點(diǎn)，采用物理氣相傳輸(physical...
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了...
羅姆進(jìn)軍650V氮化鎵，發(fā)布EcoGaN Power Stage IC！集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器
氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴(kuò)展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage...
PD快充的出現(xiàn)，讓我們手機(jī)充電器越來越小，但充電速度越來越快，甚至一個(gè)充電器可以滿足手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦的充電需求。
在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，...
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電...
充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案，這款方案采用了智融推出的初級(jí)主控芯片和降壓協(xié)議芯片，為固定電壓輸出，搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充，...
科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)
研究團(tuán)隊(duì)描述了通過簡單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序，對(duì)基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。
氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...
2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 2.9k 0
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
這里將建成國際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地
1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項(xiàng)目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米...
散熱降低一半，功率密度翻番！氮化鎵如何讓機(jī)器人“冷靜”地爆發(fā)？
機(jī)器人拳擊比賽上，本想重拳出擊KO對(duì)方，結(jié)果拳打出去沒有力氣；機(jī)器狗凌空翻轉(zhuǎn)，卻在半空卡住，尷尬落地。 機(jī)器人打出去的拳是否有力，反應(yīng)速度快不快，動(dòng)作是...
就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”
當(dāng)前，多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶桂林，如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
科達(dá)嘉邀您相約elexcon 2025深圳國際電子展
在AI浪潮與雙碳目標(biāo)交匯的時(shí)代，電子產(chǎn)業(yè)迎來智能與綠色深度融合的新機(jī)遇。2025年8月26-28日，深圳國際電子展（elexcon2025）即將盛大開啟...
65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時(shí)間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開關(guān)頻率，附...
?國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)
由于技術(shù)門檻較高，只有國際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...
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