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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2022-07-28 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 4.2k 0

2461源測(cè)量單元的產(chǎn)品特點(diǎn)、功能及應(yīng)用范圍

2461高電流SourceMeter? 源測(cè)量單元(SMU)儀器把先進(jìn)的Touch、Test、Invent? 技術(shù)放到您的手中。它把創(chuàng)新的圖形用戶界面(...

2021-01-03 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池氮化鎵電池 4.2k 0

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“雙碳”背景下,高轉(zhuǎn)換效率的氮化鎵應(yīng)用

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2021-12-13 標(biāo)簽:氮化鎵 4.2k 0

小米發(fā)布旗下首款氮化鎵充電器 售價(jià)149元

小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買價(jià)格99元),同時(shí)小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器,官方名稱“小米GaN...

2020-02-13 標(biāo)簽:充電器氮化鎵小米 4.2k 0

淺談氮化鎵器件的制造難點(diǎn)

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制造氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。

2025-07-25 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 4.2k 0

英諾賽科鄒艷波:第三代半導(dǎo)體開創(chuàng)新賽道

隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起,第三代半導(dǎo)體材料也開始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題, 收到近50位國(guó)內(nèi)外半...

2020-12-25 標(biāo)簽:氮化鎵快充技術(shù)英諾賽科 4.1k 0

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第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)?

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2020-04-29 標(biāo)簽:二極管氮化鎵晶片 4.1k 0

淺析氮化鎵能為你提供什么

您可能沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)氮化鎵(GaN,gallium nitride),但氮化鎵(GaN,gallium nitride)正在迅速成為智能手機(jī)領(lǐng)域中越來(lái)越重要...

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氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今,已過(guò)去了四年多,售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民,近日充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn),聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn),65W 雙口氮化鎵...

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氮化鎵快充研發(fā)重大突破 三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)

國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導(dǎo)體材料,其運(yùn)...

2020-12-18 標(biāo)簽:芯片氮化鎵快充技術(shù) 4.1k 0

三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制作過(guò)程專利

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三安光電提出的此項(xiàng)專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。

2020-03-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管氮化鎵三安光電 4.1k 0

理論性能遠(yuǎn)超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開始的。自手機(jī)快充功能在市場(chǎng)上迅速普及,經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...

2024-01-24 標(biāo)簽:功率二極管功率器件SiC 4.1k 0

新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

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DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度,內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管,邏輯控制電...

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碳化硅和氮化鎵哪個(gè)好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬...

2023-12-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 4.1k 0

賀利氏專家等你來(lái)撩,直播探討應(yīng)用于5G產(chǎn)品的SiP封裝材料

SIP WEBINAR 系統(tǒng)級(jí)封裝線上研討會(huì)第三期開播在即,行業(yè)知名系統(tǒng)級(jí)封裝大會(huì)自2020年5月,推出第一期SiP Webinar以來(lái)便受到行業(yè)內(nèi)人士...

2020-07-27 標(biāo)簽:氮化鎵5Gsip封裝 4.1k 0

EPC公司利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)用推出六個(gè)視頻實(shí)用范例

學(xué)習(xí)采用氮化鎵(GaN)技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無(wú)人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)。

2020-04-28 標(biāo)簽:EPC氮化鎵人工智能 4.1k 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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