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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性，氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如LED照明、電力電子、無線通信、智能家...
國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”，縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉，需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言，從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊，再到國(guó)內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體，這...
2021-12-14 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4.6k 0
納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”）在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購(gòu)訂單
近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購(gòu)訂單，訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...
高性能、小體積，GaN在智能家居中開拓廣闊市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（Ga...
Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選
據(jù)悉，Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市，價(jià)格為 54.99 美元（369 RMB）。
回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面，Negative Capacitance FET ...
多賽道共同發(fā)展的氮化鎵，成為5G發(fā)展的關(guān)鍵！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）近年來氮化鎵技術(shù)可謂是站在了發(fā)展的上風(fēng)口，各類相關(guān)應(yīng)用在國(guó)內(nèi)政策的大力扶持下遍地開花。氮化鎵同時(shí)涵蓋了射頻與功率領(lǐng)域，具有耐...
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化...
碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍
與硅相比，SiC和GaN（不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體，而且作為材料本身）在品質(zhì)因數(shù)（εμeEc3）方面顯示出其出色的性能水平：SiC高440倍，GaN高1130倍。
Soitec收購(gòu)EpiGaN nv，整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡(jiǎn)稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTo...
峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達(dá)Backwell GPU
去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和...
2025-05-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 4.4k 0
2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告
據(jù)Yole估計(jì)，在0~900V的低壓市場(chǎng)，GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元； 2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美...
硬實(shí)力對(duì)決|華廈半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人談謙：純度決定高度，粒度決定深度
視頻鏈接： https://media.elecfans.com/elecfans/2021/11/20211122.mp4 全國(guó)13強(qiáng)項(xiàng)目——高純鎵及...
使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)可取代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED
據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍(lán)光LED。
9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...
與傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，因此，其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、...
2021-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.3k 0
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