據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)，2021年以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用的大爆發(fā)。據(jù)公開(kāi)資料顯示，2020年氮化鎵的市場(chǎng)主要應(yīng)用于光電、射頻、電力...

2021-11-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3.7k 0

全球氮化鎵巨頭納微半導(dǎo)體更換CEO

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布一項(xiàng)重要人事任命：納微董事會(huì)已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025...

2025-08-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 3.7k 0

“完美電源開(kāi)關(guān)”的飄然而至,進(jìn)行了超過(guò)2000萬(wàn)小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試

此外，2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它規(guī)范了GaN的可靠性和質(zhì)量認(rèn)證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...

2018-11-28 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)氮化鎵 3.7k 0

紫米推33W氮化鎵充電器mini

今天，紫米推出了33W氮化鎵充電器mini，將于3月8日開(kāi)售，到手價(jià)79元起。

2021-03-04 標(biāo)簽：充電器連接器氮化鎵 3.7k 0

氮化鎵前景怎么樣啊 氮化鎵用途有哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵射頻器件 3.6k 0

Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器首發(fā)：重量?jī)H為 94.3g

根據(jù) @堅(jiān)果手機(jī)微博消息，Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器，昨晚在李誕的抖音直播間首發(fā)。這款充電器目前已經(jīng)在錘子商城上架，售價(jià) 149 ...

2020-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 3.6k 0

風(fēng)能發(fā)電中的碳化硅與IGBT對(duì)比分析

SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現(xiàn)有設(shè)計(jì)的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風(fēng)力渦輪機(jī)>1000 V應(yīng)用的支柱，提供中速開(kāi)關(guān)。

2022-11-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 3.6k 0

? ? 士蘭微再獲補(bǔ)助，這次是1495萬(wàn)元? 12月29日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，士蘭微及控股子公司士蘭集成、士蘭明芯與其他主體共同承擔(dān)的“硅基GaN器件與...

2021-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3.6k 0

蘋(píng)果入局氮化鎵快充釋放了哪些信號(hào)

近日，行業(yè)媒體一則消息引起了我們的關(guān)注，2021年蘋(píng)果公司將會(huì)推出基于氮化鎵功率器件的大功率USB PD快充，與目前基于硅的充電器相比，該產(chǎn)品體積更小、...

2021-01-08 標(biāo)簽：蘋(píng)果氮化鎵快充技術(shù) 3.6k 0

InnoSwitch3-MX隔離式開(kāi)關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴(kuò)大陣容

InnoMux芯片組采用獨(dú)特的單級(jí)功率架構(gòu)，與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，可將顯示器應(yīng)用中的電源損耗降低50％，從而將恒壓和恒流LED背光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的整體效率提高至91％。

2020-05-19 標(biāo)簽：集成電路開(kāi)關(guān)電源氮化鎵 3.6k 0

阿里達(dá)摩院將GaN列為科技趨勢(shì)之首 我們來(lái)介紹一下晶能光電

12月28日，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)，為后疫情時(shí)代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測(cè)。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎...

2020-12-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN碳化硅 3.5k 0

戴爾推出旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器

根據(jù)充電頭網(wǎng)的消息，戴爾現(xiàn)已推出了旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器，配備了三腳插頭，支持 90W PD 快充，還有一個(gè) USB-A 接口，支持 5...

2020-11-01 標(biāo)簽：充電器戴爾PD 3.5k 0

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車(chē)、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

2020-06-11 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3.5k 0

國(guó)博電子科創(chuàng)板IPO再進(jìn)一程！

近日，招商證券在中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)披露關(guān)于南京國(guó)博電子股份有限公司（下稱(chēng)“國(guó)博電子”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作總結(jié)的報(bào)告。這意味著，繼1月份輔...

2021-06-25 標(biāo)簽：芯片氮化鎵5G 3.5k 0

基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9144演示板具備快速轉(zhuǎn)換性能

EPC9144演示板內(nèi)的車(chē)規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 ...

2020-01-16 標(biāo)簽：電路板晶體管氮化鎵 3.5k 0