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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片“上天”,中國(guó)空間站、北斗、火星探測(cè)都已經(jīng)用上

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)上周日,問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙由長(zhǎng)征5號(hào)B遙三運(yùn)載火箭送上太空,并與中國(guó)空間站天和核心艙順利完成對(duì)接。而除了將問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上...

2022-08-01 標(biāo)簽:氮化鎵航空航天 5.7k 0

超級(jí)快充直逼160W,PD3.1快充協(xié)議、氮化鎵助力市場(chǎng)快速起量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)今年5月,USB-IF協(xié)會(huì)發(fā)布了最新的USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn),新增了28V、36V、48V三個(gè)拓展輸出電壓,并將最大輸...

2021-12-17 標(biāo)簽:氮化鎵USB3.1快充技術(shù) 5.6k 0

小型升壓轉(zhuǎn)換器的概念和工作原理

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在 2000 年,服務(wù)器前端電源管理單元 (PSU) (通過(guò)交流輸入產(chǎn)生 12V/48V 直流軌) 達(dá)到了約 10W/in3 的功率密度,峰值效率約為 ...

2025-06-12 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器服務(wù)器氮化鎵 5.6k 0

聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展

重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示,近日,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。

2019-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 5.6k 0

IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖,助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展

近日,為了促進(jìn)寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,IEEE電力電子學(xué)會(huì)(PELS)發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體(ITRW)的國(guó)際技術(shù)路線圖。

2020-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 5.5k 0

支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋(píng)果15充電頭解決方案

支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋(píng)果15充電頭解決方案

近期,展嶸再次給電源適配器開(kāi)發(fā)了新的方案,支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭,一共有兩個(gè)接口:A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...

2023-09-18 標(biāo)簽:蘋(píng)果氮化鎵pd3.0 5.5k 0

重磅!達(dá)摩院2021十大科技趨勢(shì)

剛剛,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì),這是達(dá)摩院成立三年以來(lái)第三次發(fā)布年度科技趨勢(shì)。2020年是不平凡的一年,經(jīng)歷疫情的洗禮,許多行業(yè)重啟向上而...

2020-12-28 標(biāo)簽:氮化鎵阿里巴巴 5.4k 0

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(1)

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(1)

氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無(wú)橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(上)

2019-04-03 標(biāo)簽:tipfc氮化鎵 5.4k 0

無(wú)線電源傳輸線圈技術(shù)的現(xiàn)在與未來(lái)

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由美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)獨(dú)立出來(lái)的WiTricity現(xiàn)任總裁EricGiler,曾在2009年曾于TED發(fā)表題為“無(wú)線電力技術(shù)示范”的精彩演說(shuō),展示...

2017-03-21 標(biāo)簽:無(wú)線電源氮化鎵 5.4k 0

氮化鎵功率器件的技術(shù)路線

氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-01-29 標(biāo)簽:氮化鎵功率器 5.3k 0

氮化鎵功率器件:從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)

氮化鎵功率器件:從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展,譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機(jī)等消費(fèi)類電子上得到越來(lái)越多的采用。在經(jīng)...

2022-08-19 標(biāo)簽:消費(fèi)電子功率器件氮化鎵 5.3k 0

陳小龍:碳化硅晶圓國(guó)產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來(lái)還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5.2k 0

氮化鎵充電器選哪個(gè)比較好?

電子產(chǎn)品的廣泛使用催生了大眾對(duì)于快充的需求,而提到快充,大家一定不會(huì)陌生的就是氮化鎵充電器。只要選擇信得過(guò)的品牌、品質(zhì)和售后,優(yōu)質(zhì)的氮化鎵充電器并不難選...

2020-11-30 標(biāo)簽:充電器連接器氮化鎵 5.2k 0

解密華虹宏力硅半導(dǎo)體產(chǎn)品和氮化鎵產(chǎn)品混合生產(chǎn)的專利

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集微網(wǎng)消息,現(xiàn)如今是人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)、5G等高新技術(shù)的發(fā)展浪潮,在汽車(chē)電子、5G基站和智能芯片的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料(尤其是碳化硅(SiC)與...

2020-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵無(wú)人駕駛 5.2k 0

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里?

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.2k 0

百瓦以上快充為何選擇LLC架構(gòu)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”這句廣告語(yǔ)可能是很多人對(duì)快充最開(kāi)始的認(rèn)識(shí),在以前很多手機(jī)廠商為實(shí)現(xiàn)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航,只會(huì)一味地增加手...

2021-09-06 標(biāo)簽:氮化鎵快充 5.1k 0

國(guó)外廠商推出00W氮化鎵充電器,約合人民幣480元

  2月2日消息報(bào)道,國(guó)外廠商推出了一款名為HyperJuice的100W氮化鎵充電器,2A2C,外觀只有一副紙牌大小,電源效率達(dá)到了95%。

2020-02-03 標(biāo)簽:電源充電器氮化鎵 5.1k 0

氮化鎵芯片市場(chǎng)份額分析 氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件分類

中國(guó)氮化鎵芯片市場(chǎng)占據(jù)全球約 %的市場(chǎng)份額,為全球最主要的消費(fèi)市場(chǎng)之一,且增速高于全球。2021年市場(chǎng)規(guī)模約 億元,2017-2021年年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 %。

2023-02-05 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵 5.1k 0

Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù);中芯國(guó)際回復(fù)首輪問(wèn)詢…

據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道,近段時(shí)間內(nèi),包括蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi),都紛紛向臺(tái)積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個(gè)耐人尋味的時(shí)間點(diǎn),因?yàn)槊婪?月...

2020-06-09 標(biāo)簽:中芯國(guó)際氮化鎵Nexperia 5.1k 0

WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

1.2 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)考慮

2019-04-08 標(biāo)簽:ti功率器件氮化鎵 5k 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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