隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起，第三代半導體材料也開始嶄露頭角。

電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題， 收到近50位國內(nèi)外半導體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。歲末之際，電子發(fā)燒友特別采訪了英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波，他對2021年半導體市場提供了自己的前瞻觀點和技術(shù)趨勢分析。 第三代半導體崛起

功率半導體朝著第三代半導體發(fā)展，10KW的大功率市場會逐步被SIC替代，10KW的中小功率市場會逐步被GaN取代。英諾賽科的氮化鎵功率器件，隨著制程工藝的不斷優(yōu)化，氮化鎵功率器件的性能和成本優(yōu)勢將更加明顯。

氮化鎵帶來快充變革

今年一個比較大的亮點就是小米發(fā)布了氮化鎵快充，雷軍為氮化鎵快充代言，這個事件標志著第三代半導體氮化鎵開始在快充領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。氮化鎵作為第三代半導體材料，具備高頻高效的特性，其大規(guī)模的應(yīng)用將推動整個功率半導體市場帶來變革。

半導體新賽道

明年半導體行業(yè)會進一步國產(chǎn)轉(zhuǎn)移，國產(chǎn)半導體行業(yè)會進一步發(fā)展，第三代半導體氮化鎵為國產(chǎn)半導體發(fā)展提供了絕好的契機，提供了半導體的新賽道，中國半導體有望在這個新的賽道實現(xiàn)國際領(lǐng)先。第三代半導體氮化鎵功率器件在明年的市場應(yīng)用也將迎來高速發(fā)展，在手機，數(shù)據(jù)中心，5G基站，自動駕駛的應(yīng)用將實現(xiàn)突破。