動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-24 19:05

  PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實現(xiàn)更高的效率和功率密度

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要400VSiCMOSFET技術(shù)可以實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對其優(yōu)勢進行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設(shè)備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動期間對飛跨電容充電的注意事項。PSU的尺寸

  MOSFET 人工智能 服務(wù)器 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-09-18 17:13

  新聞速遞丨英飛凌功率模塊助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機能效提升

  

  【2025年9月18日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）與金風(fēng)科技股份有限公司近日宣布深化其合作，為風(fēng)力發(fā)電實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP21700VIGBT5功率模塊，提升金風(fēng)科技GW155-4.5MW構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機的能源效率。英飛凌的

  電網(wǎng) 英飛凌 風(fēng)機

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• 發(fā)布了文章 2025-09-17 17:05

  PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案

  

  本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展，系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計人員的重視，并可能成為當(dāng)前和下一代變換器的標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅（SiC）材料因其固有的寬禁帶特性和高熱導(dǎo)率，可在1kV系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率和更好的熱性能。本文將介紹當(dāng)前光伏（PV）系統(tǒng)的主流架構(gòu)以

  MOSFET 太陽能系統(tǒng) 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-09-16 17:06

  與作者面對面丨英飛凌IPAC直播間即將亮相PCIM Asia 2025

  

  今年，英飛凌將在上海新國際博覽中心N5館C10展位攜多款全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案亮相PCIMAsia2025，全面展示電力電子技術(shù)的前沿產(chǎn)品及技術(shù)！除了這些，IPAC直播間即將首次亮相PCIMAsia展會現(xiàn)場！直播主題：與作者面對面，深度解讀2025PCIMAsia論文直播時間：2025年9月24日1500掃碼立即報名你將可以看到英飛凌資深“攻城獅

  MOSFET pcim 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-09-12 17:05

  功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十四）----熱成像儀測溫度概述

  

  摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章已經(jīng)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法，本篇的話題是《使用熱成像儀測溫度的注意事項》。用熱成像儀測溫度，在電力電子系統(tǒng)設(shè)計和

  功率器件 熱成像儀 熱設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2025-09-09 17:19

  海上風(fēng)電高壓直流集成經(jīng)濟型方案與性能比較

  

  完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著海上風(fēng)電場容量的增加和選址向深遠海進一步延伸，高壓直流(HVDC)技術(shù)成為遠距離電力傳輸?shù)年P(guān)鍵。本文介紹三種海上高壓直流輸電方案，包括兩種完全基于模塊化多電平變流器（MMC）的柔性直流輸電方案，以及一種基于二極管整流的海上風(fēng)電集成方案，然后詳細說明可

  二極管 變流器 風(fēng)電場

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• 發(fā)布了文章 2025-09-08 17:06

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計，為更經(jīng)濟高效、緊湊、易設(shè)計且可靠的系統(tǒng)提供領(lǐng)先的解決方案。該器件在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲中均能表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能，適用于所有常見的AC-DC、DC-DC

  SiC 分立器件 封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-09-06 08:04

  第十三屆第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班暨國際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇報名（論壇免費）

  

  01組織機構(gòu)主辦單位：中國電源學(xué)會承辦單位：英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實驗中心、上海臨港電力電子研究院、中國電源學(xué)會教育與培訓(xùn)工作委員會02培訓(xùn)時間地點2025年10月17-19日中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)03培訓(xùn)安排本次課程由兩部分組成：110月17日國際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇（免費）特邀出席嘉賓：上海臨港管委會相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)；劉

  功率器件 半導(dǎo)體器件 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-09-03 17:03

  一種全工作范圍實現(xiàn)零電壓開通的高效反激電源控制策略

  

  /摘要/反激拓撲廣泛應(yīng)用于中小功率開關(guān)電源中，為了提高反激拓撲的轉(zhuǎn)換效率，本文提出了一種全輸入電壓及負載范圍內(nèi)可以實現(xiàn)原邊MOSFET零電壓開通（ZVS）的控制策略，從而提高了轉(zhuǎn)換效率。本文通過理論分析給出其中所涉及的參數(shù)的計算方法，并通過仿真與實際電源的測試驗證了該策略的有效性。01背景反激（Flyback）拓撲因其結(jié)構(gòu)簡潔，控制策略簡單，適合多路輸出，可

  電壓 電源控制 零電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-09-02 18:42

  PCIM2025論文摘要 | 基于英飛凌S-cell產(chǎn)品的嵌入式PCB方案在主驅(qū)逆變器應(yīng)用的優(yōu)勢分析與研究

  

  完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要本文介紹了一種基于英飛凌S-cell產(chǎn)品(1.2kV/SiC)的嵌入式PCB方案的新型功率模塊概念。利用Ansys和SPICE仿真，在熱阻（Rth、Zth、熱耦合等）和電氣特性（系統(tǒng)雜散電感、電壓尖峰、開關(guān)損耗等）等方面進行和傳統(tǒng)封裝的SiC模塊的對比。

  pcb PCB 嵌入式 英飛凌 逆變器

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