動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-11 17:08

  IGBT的電流是如何定義的

  

  IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。流言一：450AIGBT模塊最大輸出電流能力是450A，系統(tǒng)設(shè)計中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標(biāo)稱電流。那么什么是標(biāo)稱電流？為了搞清楚這一

  IGBT 電流 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 17:08

  新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品

  

  新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導(dǎo)通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴(kuò)展至20mΩ到60mΩ，提供更精細(xì)的選型梯度。ThinTOLL封裝是標(biāo)準(zhǔn)8x8尺寸下發(fā)揮CoolS

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-07-07 18:47

  三相四線變換器拓?fù)渑c原理簡介

  

  三相四線制配電具有穩(wěn)定性高、適用范圍廣等優(yōu)點，多應(yīng)用于工商業(yè)、民用等低壓配電場景，在傳統(tǒng)的APF、UPS等應(yīng)用里，三相四線變換器已被大量采用，近年來，工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟(jì)性、電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下，不平衡負(fù)載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。SiCMOSFET結(jié)合三相四橋臂變換器在此應(yīng)用場景具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢，本文上篇將

  PCS 三相四線 變壓器 變換器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-05 08:32

  多相電機的奇妙世界(3)：多相電機的應(yīng)用場景

  

  簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學(xué)劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。3多相電機的應(yīng)用場景經(jīng)過前面的介紹，相信大家已經(jīng)對多相電機的優(yōu)點有了進(jìn)一步的認(rèn)識。然而你可能會疑惑為什么多相電機有這么多優(yōu)點但實際生活中卻很少見到呢？這是因為多相電機往往應(yīng)用于功率需求較大或高可靠性的場合，且與之配套的變頻器往往需要獨立

  變頻器 多相電機 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-07-04 17:09

  新品 | 650V CoolMOS™ 8超結(jié) (SJ) MOSFET

  

  新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用提供額外的浪涌保護(hù)。我們的650V

  MOS MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 17:06

  揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)

  

  /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨特之處？特別是在反向恢復(fù)特性方面，它們又是如何改變游戲規(guī)則的呢？讓我們一探究竟！1什么是反向恢復(fù)？在傳統(tǒng)硅功率器件中，反向恢復(fù)現(xiàn)象主要與它們內(nèi)部的寄生二極管有關(guān)，指二極管從導(dǎo)通狀態(tài)（正向偏置）切換到反向阻斷狀態(tài)（反向偏置）時

  SiC 電容效應(yīng) 肖特基二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 17:03

  新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS(on)）范圍擴(kuò)展至7mΩ至75mΩ等10款產(chǎn)品可選，為用戶提供更精準(zhǔn)的選擇?；诘谝淮夹g(shù)，第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封裝，

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-06-28 08:33

  多相電機的奇妙世界(2)：三相電機vs多相電機

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學(xué)劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。上期回顧多相電機的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越本期文章將繼續(xù)帶您探索多相電機的奇妙世界。2三相電機vs多相電機：不僅僅是數(shù)字的堆砌2.2共模電壓抑制——電磁干擾克星如果說容錯能力是多相電機的“硬實力”，那么共模電壓抑制則是其“軟實力”

  三相電機 多相電機 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-06-26 17:07

  TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

  

  新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設(shè)計方案。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已新增采用底部冷卻技術(shù)的TOLL和DFN封裝，其創(chuàng)新設(shè)計可降低各類工業(yè)及消費電子應(yīng)用中的功率損耗。產(chǎn)品型號：■IGT65R025D2A

  DFN 功率晶體管 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-06-24 17:04

  IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC™ MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)？

  

  碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量，“打鐵需趁熱”，第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場，第二期就必須得火力全開，好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。7月2日14:00碳化硅直播季第二期，邀您一同解鎖未來能源科技的神秘密碼！光儲應(yīng)用熱門賽道，眾多企業(yè)競相角逐。如何憑借碳化硅技術(shù)突出重圍，效率比拼的天花板到底有多高？EV充電樁真的是國產(chǎn)的天下嗎？Coo

  MOSFET 碳化硅 能效

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