動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-05-19 17:32

  英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會”演講稿第二部分，第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個支柱簡單講，就是技術(shù)，質(zhì)量，產(chǎn)量和產(chǎn)品。技術(shù)優(yōu)勢要做好碳化硅MOSFET，在技術(shù)上需要做好兩件事情：性能穩(wěn)定的體二極管垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFE

  半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌

  536瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-17 08:33

  電力電子中的“摩爾定律”(2)

  

  04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上，平面磁集成技術(shù)開始廣泛應(yīng)用于高功率密度場景，通過將變壓器的繞組(winding)設(shè)計在pcb電路板上從而代替利茲線，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會超過4oz（140μm）,因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為

  電力電子 電流 磁集成技術(shù)

  439瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-16 17:08

  新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊

  

  新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術(shù)。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備NTC溫度傳感器，并針對儲能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統(tǒng)。產(chǎn)

  IGBT 三電平 儲能

  663瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-15 17:05

  IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？

  

  直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預(yù)約！520碳化硅首場直播，帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場！平面柵和溝槽柵，簡約設(shè)計與繁復(fù)工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領(lǐng)域持續(xù)“占鰲”，成為行業(yè)標(biāo)桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會成為其可靠性路上的“絆腳石”？低

  碳化硅 英飛凌

  440瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-14 10:08

  英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議：聚焦技術(shù)創(chuàng)新與智能綠色生活

  

  近期，英飛凌科技與美的集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過深度整合各自優(yōu)勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應(yīng)等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產(chǎn)品與服務(wù)。英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝，美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝

  智能家電 美的 英飛凌

  871瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-13 17:04

  新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊

  

  新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù)，電流等級涵蓋75A、100A、150A、200A至300A。模塊采用PressFIT針腳技術(shù)和NTC。EasyDUAL1B和2B共發(fā)射極產(chǎn)品系列非常適合矩陣變換器的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。產(chǎn)品型

  IGBT 芯片

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-12 17:06

  英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）

  

  本文是按照2024年“第十八屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行業(yè)的應(yīng)用是在20年前發(fā)展起來的，當(dāng)年主要應(yīng)用在工業(yè)電源、UPS和變頻器等有限領(lǐng)域。但到了今天，整個電能生態(tài)鏈——新能源發(fā)電、輸配電、電能質(zhì)量改善等都成了IGBT的應(yīng)用大戶。而且，用電領(lǐng)域的范圍還在拓展，如熱泵

  SiC 碳化硅 英飛凌

  553瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-10 08:32

  電力電子中的“摩爾定律”(1)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出，集成電路每過一定時間就會性能翻倍，成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢？1965年，英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會議記錄》中提出，集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個月會翻倍，同時成本也會相應(yīng)下降

  數(shù)據(jù)中心 電力電子 芯片 集成電路

  530瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-08 17:05

  英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn)，加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiCMOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC產(chǎn)品系列覆蓋了400V至3.3kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動力傳動系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲能及高功率牽引逆變器等?，F(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的Si

  SiC 電動汽車 英飛凌

  727瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-05-07 17:03

  英飛凌推出新型CoolSiC™ JFET技術(shù)，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

  

  為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiCJFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiCJFET可

  JFET 碳化硅 英飛凌

  521瀏覽量