亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第十三屆第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班暨國際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇報(bào)名(論壇免費(fèi)

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-09-06 08:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

01

組織機(jī)構(gòu)


主辦單位:中國電源學(xué)會(huì)

承辦單位:英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院、中國電源學(xué)會(huì)教育與培訓(xùn)工作委員會(huì)


02

培訓(xùn)時(shí)間地點(diǎn)


2025年10月17-19日

中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)


03

培訓(xùn)安排


本次課程由兩部分組成:



1

10月17日

國際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用

臨港高峰論壇(免費(fèi))

特邀出席嘉賓:


上海臨港管委會(huì)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo);

劉進(jìn)軍 教授

西安交通大學(xué)、中國電源學(xué)會(huì)理事長、IEEE PELS副主席;

Leo Lorenz 博士

德國科學(xué)院院士,IEEE Fellow,歐洲電力電子中心主席;

李永東 教授

清華大學(xué)新概念技術(shù)汽車研究院副院長,中國電源學(xué)會(huì)交通電氣化專委會(huì)主任;

湯天浩 教授

IEEE PELS上海分部主席,中國電源學(xué)會(huì)副監(jiān)事長;

孫耀杰 教授

復(fù)旦大學(xué)上海綜合系統(tǒng)能源人工智能工程技術(shù)研究中心主任,中國電源學(xué)會(huì)科普工委會(huì)主任,IEEE PELS上海分部副主席;

以及國內(nèi)外一流功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用公司的高管與技術(shù)專家。


2

10月18日和19日

第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班

課程內(nèi)容:


本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展,重點(diǎn)講授碳化硅和氮化鎵器件的器件原理、結(jié)構(gòu)、封裝、驅(qū)動(dòng)與保護(hù),深入分析新型功率器件的可靠性與測試等核心技術(shù)。


今年特邀國際著名電力電子專家Leo Lorenz博士擔(dān)任主講,邀請(qǐng)英飛凌等世界一流企業(yè)的專家共同授課。課程設(shè)置緊密貼近產(chǎn)業(yè)實(shí)際需求,從基礎(chǔ)知識(shí)切入,著重破解工程應(yīng)用的難題。為電子電子領(lǐng)域的工程師、研究人員、高校的青年教師和研究生提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)和系統(tǒng)的應(yīng)用指導(dǎo)。


具體安排:


(可上下滑動(dòng)查看詳細(xì)課程安排)

10月18日(星期六)

0900

第一講:What is the best Switch:IGBT….SiC…..Hybrid

Leo Lorenz 博士

德國科學(xué)院院士、歐洲電力電子中心主任、IEEE Fellow

1100

第二講:碳化硅技術(shù),應(yīng)用和可靠性

郝欣 博士

英飛凌科技(中國)有限公司

12:00 -13:30

午餐&午休

1330

第三講:碳化硅的動(dòng)態(tài)特性測量,波形解讀和改進(jìn)

鄭姿清 高級(jí)主任工程師

英飛凌科技(中國)有限公司

1430

第四講:功率半導(dǎo)體熱特性和散熱設(shè)計(jì)

陳子穎 原高級(jí)市場顧問

英飛凌科技(中國)有限公司

1745

晚餐


10月19日(星期日)


930

第五講:Power Die Ruggedness and Reliability

Leo Lorenz 博士

德國科學(xué)院院士、歐洲電力電子中心主任、IEEE Fellow

1230

午餐&午休

1300

第六講:GaN器件的應(yīng)用設(shè)計(jì)與驅(qū)動(dòng)

宋清亮 技術(shù)總監(jiān)

英飛凌科技(中國)有限公司

1500

第七講:Power semiconductors for hydrogen fuel cell electric vehicles.

Didier TRICHET 教授

法國南特大學(xué)IREENA實(shí)驗(yàn)室主任

1630

第八講:碳化硅器件建模與系統(tǒng)仿真

張浩 主任工程師

英飛凌科技(中國)有限公司

04

特邀講師


17bb956a-8ab5-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

Leo Lorenz 博士

德國科學(xué)院院士

歐洲電力電子中心主任

IEEE Fellow


Lorenz博士是ECPE(歐洲電力電子中心)的重要?jiǎng)?chuàng)始人之一,自2003年成立以來擔(dān)任總裁。他是幾個(gè)會(huì)議的創(chuàng)始人/聯(lián)合創(chuàng)始人,如CIPS(集成電力系統(tǒng)會(huì)議),PCIM亞洲,EPE等。Lorenz博士2006年成為IEEE-Fellowship,2005年被評(píng)為德國科學(xué)院院士。他還獲得了幾項(xiàng)高水平IEEE獎(jiǎng)項(xiàng),如2010年(日本)IEEE-ISPSD杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng),2011年IEEE-Gerald Kliman創(chuàng)新獎(jiǎng),美國2012年IEEE-William E. Newell電力電子獎(jiǎng),德國Ernst Blickle獎(jiǎng)。2016年臺(tái)灣國立清華大學(xué)Sun Yun-Suan榮譽(yù)教授,2017年西班牙瓦倫西亞大學(xué)榮譽(yù)教授,2018年西安交通大學(xué)榮譽(yù)教授,IEEE 2018美國國際名人堂成員。

17d1d92e-8ab5-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

英飛凌
應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)


英飛凌科技是國際頂級(jí)的功率半導(dǎo)體器件制造商。英飛凌應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)大多數(shù)來自于工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部,長期在系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域積累了豐富的功率半導(dǎo)體應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),碳化硅和氮化鎵器件是近幾年最重要的研究方向,英飛凌也是處于全球領(lǐng)先地位,成果累累。本次將應(yīng)邀重點(diǎn)講授碳化硅器件應(yīng)用,包括動(dòng)態(tài)特性測試、仿真、驅(qū)動(dòng)和可靠性問題等。

17e17780-8ab5-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

上海臨港
電力電子研究院


上海臨港電力電子研究院是臨港新片區(qū)“重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)”研究平臺(tái)之一,主要從事功率半導(dǎo)體、汽車驅(qū)動(dòng)功率模塊的研發(fā)與測試,擁有一流的測試設(shè)備。

(可左右滑動(dòng)查看)



05

培訓(xùn)證書


培訓(xùn)結(jié)束后,中國電源學(xué)會(huì)將頒發(fā)“第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班”培訓(xùn)證書。


06

培訓(xùn)費(fèi)用


3200元(含講課費(fèi)、資料費(fèi)、餐費(fèi))

以下條件享受費(fèi)用優(yōu)惠(優(yōu)惠不疊加)。


優(yōu)惠條件:

1.中國電源學(xué)會(huì)團(tuán)體會(huì)員享受7.5折優(yōu)惠;

2.中國電源學(xué)會(huì)個(gè)人會(huì)員享受8.5折優(yōu)惠;

3.5人以上(含5人)團(tuán)體報(bào)名享受8折優(yōu)惠;

4.學(xué)生會(huì)員(憑中國電源學(xué)會(huì)個(gè)人會(huì)員證及學(xué)生證)5折優(yōu)惠;


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18651

    瀏覽量

    260498
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    2024

    瀏覽量

    94323
  • 半導(dǎo)體器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    797

    瀏覽量

    33753
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    普源精電亮相2025碳化硅功率器件測試和應(yīng)用高級(jí)研修班

    2025年9月,一場聚焦前沿技術(shù)的“碳化硅功率器件測試和應(yīng)用高級(jí)研修班”在蘇州圓滿落幕。本次盛會(huì)匯聚了全國各地的企業(yè)研發(fā)精英與測試工程師,共
    的頭像 發(fā)表于 10-13 13:57 ?203次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?244次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>與應(yīng)用

    芯干線亮相2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇

    8月14日,由行家說主辦的“2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇”在深圳圓滿舉行。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:44 ?1121次閱讀

    電鏡技術(shù)第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?408次閱讀
    電鏡<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1501次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?475次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析(1)

    會(huì)展動(dòng)態(tài)|TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

    將聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體前沿技術(shù),匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊: >第三、四車規(guī)級(jí)
    發(fā)表于 04-17 13:50 ?764次閱讀
    會(huì)展動(dòng)態(tài)|TMC2025車規(guī)級(jí)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>論壇</b>「初步日程+展覽」首發(fā)

    芯和半導(dǎo)體將參加2025年玻璃基板TGV產(chǎn)業(yè)鏈高峰論壇

    芯和半導(dǎo)體科技(上海)股份有限公司(以下簡稱“芯和半導(dǎo)體”)將于3月19-20日參加在江蘇蘇州舉辦的2025年玻璃基板TGV產(chǎn)業(yè)鏈高峰論壇。作為國內(nèi)Chiplet先進(jìn)封裝EDA的代表,芯和半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 02-26 10:08 ?1236次閱讀

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1310次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1093次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?889次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對(duì)防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1173次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2351次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和氮化鎵介紹

    第三屆南渡江智慧醫(yī)療與康復(fù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇成功舉辦

    近日,第三屆南渡江智慧醫(yī)療與康復(fù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇 (以下簡稱“南渡江論壇”) 在海口星海灣鉑爾曼酒店成功舉辦。
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:15 ?1290次閱讀

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?2618次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)