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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來(lái)越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。
基于東芝產(chǎn)品的大型太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)方案
新能源產(chǎn)業(yè)正在推動(dòng)綠色低碳產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,集多種功能于一身的大型太陽(yáng)能逆變器已成為關(guān)鍵應(yīng)用設(shè)備之一。其強(qiáng)大功能的實(shí)現(xiàn),離不開逆變器電路單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路...
選型手冊(cè):MOT4N70C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛...
選型手冊(cè):MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適...
?STMicroelectronics STP80N450K6:800V MDmesh K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)的極高壓N溝道功率...
選型手冊(cè):MOT3140G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適...
選型手冊(cè):MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于高效...
L99H92:面向汽車電機(jī)控制的高集成度半橋前置驅(qū)動(dòng)器
STMicroelectronics L99H92汽車半橋前置驅(qū)動(dòng)器以單H橋或雙獨(dú)立半橋配置驅(qū)動(dòng)四個(gè)外部N溝道MOSFET晶體管,用于汽車應(yīng)用中的DC電...
2025-10-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 110 0
MOT6586T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT6586T是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TOLL-8L表面貼裝封裝,基于超級(jí)溝槽(SuperTrench)工...
MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT4162G是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN506-8L封裝形式,聚焦電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電池管理等場(chǎng)景,以...
?STD80N450K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET,具有...
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代理供應(yīng)希力微 SJ MOS管 SSF60R190TH、SSD60R280FTR、SSD60R360METR、SSD65R900FTR
標(biāo)簽:MOSFET 1666 0
ZK30N100T N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-10-16 標(biāo)簽:MOSFET 92 0
FS8810 ESD保護(hù)的MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFETESD保護(hù) 125 0
FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:電阻MOSFET封裝 228 0
英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7功率MOSFET
【2025年10月22日, 德國(guó)慕尼黑訊】 各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長(zhǎng)對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求,包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFE...
芯導(dǎo)科技助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控加速
在地緣政治的影響下,供應(yīng)鏈自主可控已成為長(zhǎng)期議題,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體替代、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定,已成為國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界的共識(shí)與迫切需求。
2025-10-23 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 341 0
傾佳電子1400V碳化硅MOSFET綜合分析:器件特性與在先進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用價(jià)值
傾佳電子1400V碳化硅MOSFET綜合分析:器件特性與在先進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用價(jià)值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...
2025-10-26 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換碳化硅 656 0
一、技術(shù)原理與核心差異 1. 回饋式電子負(fù)載 通過(guò)雙向電力電子變換技術(shù)(如PWM整流、逆變控制)實(shí)現(xiàn)電能回饋至電網(wǎng)或儲(chǔ)能系統(tǒng),核心模塊包括整流/逆變電路...
中微愛芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4421/AiP4422
柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無(wú)論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,,還是工業(yè)變頻器,其核心都離不開...
2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 788 0
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護(hù)的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護(hù)的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列
【2025年10月17日,德國(guó)慕尼黑訊】電動(dòng)汽車充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng),以及商用、工程和農(nóng)用車輛(CAV)等大功率應(yīng)用場(chǎng)景,正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與...
傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述
傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGB...
2025-10-18 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅 72 0
傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義
傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷...
博世碳化硅MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報(bào)獎(jiǎng)
2025年9月24日,博世功率半導(dǎo)體技術(shù)專家周雯琪的學(xué)術(shù)論文“A Robust and Reproducible Gate Charge Measure...
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