動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-05 19:45

  倒計時7天 | OktoberTech™ 2025 高峰論壇嘉賓及議程揭曉

  

  當大規(guī)模AI訓(xùn)練的能耗在全社會用電量中占比持續(xù)攀升；當全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型；當?shù)谌雽?dǎo)體的應(yīng)用有效減少了風(fēng)力發(fā)電傳輸中的能量損耗、提高供電效率……在這場席卷全球的變革浪潮中，科技無疑是助力我們跨越挑戰(zhàn)與把握機遇的關(guān)鍵力量。而我們所憧憬的未來，也將依托于各領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案，如綠色高效的能源、智能安全的物聯(lián)網(wǎng)以及環(huán)保安全的交通出行等，它們將共

  AI 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-04 18:33

  論壇日程發(fā)布丨OktoberTech™英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會現(xiàn)場高能搶先看

  

  OktoberTech是由英飛凌主辦的年度全球技術(shù)峰會，旨在展示前瞻性的技術(shù)如何推動低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。每一年的OktoberTech，都是我們與產(chǎn)業(yè)、客戶、合作伙伴相聚一堂、共話未來的珍貴時刻。在為期一天的活動期間，英飛凌與眾多相關(guān)領(lǐng)域的意見領(lǐng)袖與技術(shù)專家將匯聚一趟，共同探討行業(yè)趨勢、創(chuàng)新合作及不同領(lǐng)域最新的產(chǎn)品及解決方案等議題。2025年恰逢英飛凌在華

  低碳 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-03 17:34

  新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模塊

  

  新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點技術(shù)和氮化鋁陶瓷DCB。目標應(yīng)用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統(tǒng)等。產(chǎn)品型號：■FF6MR20

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-31 08:37

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（1）- 缺陷創(chuàng)造的美

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W(xué)李晨曦的投稿。如果你是一位音樂愛好者，當你戴上耳機，聆聽著美妙的音樂時，吉他那多變的音色一定能夠吸引你的注意。它時而清脆明亮，仿佛陽光燦爛；時而沉穩(wěn)厚重，帶著歲月的厚重感；時而又尖銳狂放，如同沖破束縛的熱情。而這些獨特的音色，如今大多數(shù)都是由數(shù)字芯片經(jīng)特定算法采樣處理所生成的。為什么音樂人們要用數(shù)字

  效果器 數(shù)字芯片 電吉他

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 17:04

  新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動、電動汽車充電、太陽能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-27 17:03

  新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

  

  新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動、電動汽車充電、太陽能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實現(xiàn)更

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-26 18:07

  柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用

  

  碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiCMOSFET技術(shù)先進性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-05-24 08:32

  一枚葉片的獨白

  

  我是一枚發(fā)電機上的葉片。出生不久，我就開始審視自己的身體：身上滿是絕妙飄逸的曲線，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開始無限自戀起來。如果看一下自己的體重，說實話愛上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片，從超過35米長的風(fēng)力發(fā)

  發(fā)電機 葉片

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• 發(fā)布了文章 2025-05-22 17:03

  新品 | 采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板

  

  新品采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源設(shè)計中需要采用先進的功率因數(shù)校正（PFC）電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數(shù)。通過使用PFC，電源系統(tǒng)可以減少失真，保持穩(wěn)定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

  SiC MOSFET 碳化硅 評估板 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-21 17:07

  新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器 1ED21x7 系列

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅(qū)動器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關(guān)。設(shè)計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，1ED

  EiceDRIVER 英飛凌 驅(qū)動器

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