國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片動(dòng)態(tài)：合封驅(qū)動(dòng)、封裝工藝升級(jí)雙面散熱

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）自Type-C 2.1與PD 3.1新的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議發(fā)布之后，氮化鎵再次被推上風(fēng)口。氮化鎵以低損耗、高效率、高功率密度的自身優(yōu)勢(shì)...

2021-12-01 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 7.7k 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 7.7k 0

氮化鎵有什么用_氮化鎵的合成方法

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 7.5k 0

博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟，浙江博方嘉...

2019-11-08 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵 7.4k 0

普通快充和氮化鎵充電器哪個(gè)比較好

隨著智能設(shè)備的普及，充電器的需求也日益增加。為了能夠快速充電，提高充電效率，氮化鎵充電器逐漸成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。那么，氮化鎵充電器和普通快充有什么區(qū)別...

2023-10-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充 7.4k 0

快充時(shí)代下的氮化鎵方案，英飛凌CoolGaN IPS面向30W至500W應(yīng)用

于近日舉辦的英飛凌CoolGaN IPS第三代寬禁帶（WBG）功率半導(dǎo)體媒體溝通會(huì)上，英飛凌展示并介紹了面向30W至500W功率級(jí)應(yīng)用的這一系列新品。英...

2021-06-09 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵Infineon 7.4k 0

氮化鎵遇到USB PD快充，氮化鎵充電器成為展會(huì)亮點(diǎn)

來自產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2019年，搭載USB Type-C接口的設(shè)備出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到20億臺(tái)。其中USB Type-C在筆記本、臺(tái)式電腦中的滲透率將...

2019-04-25 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 7.4k 0

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN F...

2018-10-30 標(biāo)簽：德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 7.4k 0

遼寧百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目正式開工建設(shè) 總投資達(dá)15億元

據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報(bào)道，近日，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵項(xiàng)目正式開工建設(shè)，這距離該項(xiàng)目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個(gè)月時(shí)間。

2019-11-05 標(biāo)簽：氮化鎵 7k 0

氮化鎵市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來爆發(fā)式增長(zhǎng) 我國(guó)多家企業(yè)積極布局

日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。

2019-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 6.9k 0

GaN功率器件的兩種技術(shù)路線對(duì)比

這幾年第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬(wàn)美元，相比2019年增長(zhǎng)了...

2022-01-26 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 6.9k 0