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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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你可以想象有這樣一個(gè)世界，在這個(gè)世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來(lái)滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中，工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...
科雅MPB 105J450V薄膜電容用于煊陽(yáng)100W氮化鎵桌面充電器
煊陽(yáng)科技是一家在電子產(chǎn)品制造和研發(fā)領(lǐng)域具有顯著影響力的企業(yè)。該公司一直專注于開(kāi)關(guān)電源、適配器、充電器、LED驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā)、制造與銷售。
2024-03-07 標(biāo)簽：充電器led驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1.2k 0
◎產(chǎn)品特性: 工作頻率: 2. 0^~ 6. 0GHz 飽和輸出功率: Pout ≥50dBm 功率增益: Gain≥8. 0dB (type) ...
來(lái)源：湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室 ? 2023年11月，九峰山實(shí)驗(yàn)室基于氮化鎵（GaN）材料的太赫茲肖特基二極管（SBD）研制成功。經(jīng)驗(yàn)證，該器件性能已達(dá)到國(guó)際前...
當(dāng)今開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的五大問(wèn)題： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待機(jī)功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。隨著PD和適配器行業(yè)的發(fā)展，需要相同或...
PI宣布推出InnoMux-2系列單級(jí)獨(dú)立穩(wěn)壓的多路輸出離線式電源IC
PI今日宣布推出InnoMux-2系列單級(jí)獨(dú)立穩(wěn)壓的多路輸出離線式電源IC。InnoMux-2 IC將AC-DC和后級(jí)DC-DC變換級(jí)整合到單個(gè)芯片中，...
功率半導(dǎo)體日本有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)大舉投資
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動(dòng)汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...
2022-11-11 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.2k 0
日本開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （Ga...
納微半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday，共同展望氮化鎵應(yīng)用未來(lái)
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片，引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實(shí)現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.2k 0
羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體
羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布，雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作，共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。
如何選擇性價(jià)比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品
選擇氮化鎵芯片時(shí)，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標(biāo)，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號(hào)的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合...
Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對(duì)AR而言具有主要優(yōu)勢(shì)。但同時(shí)，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開(kāi)始在各個(gè)領(lǐng)域...
Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器
GMICP2731-10器件有助于保持信號(hào)保真度，讓地面站在不影響信號(hào)質(zhì)量的情況下進(jìn)行高射頻電平的傳輸。
意法半導(dǎo)體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效
有助于簡(jiǎn)化工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和交流/直流適配器操作，節(jié)省電能 ? 2024 年 3 月 7 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控...
2024-03-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.2k 0
美國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造商：中國(guó)子公司將立即申請(qǐng)鎵、鍺出口許可
7月3日，中國(guó)商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布公告，表示對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，其中包含金屬鎵、氮化鎵（多晶、單晶、晶片、外延片等多種形態(tài)）、鍺外延生長(zhǎng)襯底等...
蔚來(lái)增持晶湛半導(dǎo)體，或推進(jìn)氮化鎵加速“上車”
據(jù)了解，2022年，晶湛半導(dǎo)體先后完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資和C輪數(shù)億元融資。其中，C輪融資本是由蔚來(lái)資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯...
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密...
2023-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵 1.2k 0
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