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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電...
2025-06-20 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源IC 1.3k 0
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
2023-04-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電源管理德州儀器 1.3k 0
Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個(gè)全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)
使用更為先進(jìn)的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 20...
2023-10-16 標(biāo)簽：氮化鎵 1.3k 0
Transphorm：氮化鎵應(yīng)用進(jìn)一步擴(kuò)展，2024年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)將回暖
正值歲末年初之際，回顧過去的2023年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期，各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，能夠發(fā)現(xiàn)哪些細(xì)分...
Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser
2016年3月29日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的...
許多由氮化鎵（也稱為GaN）制成的的東西正在電力電子領(lǐng)域發(fā)生變化。今天，您可以購買帶有足夠電量的小型USB-C充電器，它可以同時(shí)為您的筆記本電腦、手機(jī)和...
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直GaN市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車市場(chǎng)可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵 1.3k 0
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。創(chuàng)...
好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛，助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用
未來已來，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配...
2022-11-30 標(biāo)簽：氮化鎵隔離驅(qū)動(dòng) 1.3k 0
智芯公司所屬深圳智芯獲評(píng)廣東省工程技術(shù)研究中心
近日，廣東省科學(xué)技術(shù)廳公示了2023年度廣東省工程技術(shù)研究中心名單，智芯公司所屬深圳智芯設(shè)立的“廣東省先進(jìn)功率器件及工業(yè)電源工程技術(shù)研究中心”憑借在功率...
集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測(cè)功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.3k 0
智芯公司高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組入選深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄
10月18日，智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項(xiàng)目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄，斬獲最高等級(jí)認(rèn)定。
2023-10-26 標(biāo)簽：開關(guān)電源電力系統(tǒng)功率器件 1.2k 0
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 1.2k 0
Odyssey半導(dǎo)體出售價(jià)值952萬美元的資產(chǎn)
作為Odyssey的核心部門之一，總面積達(dá)1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓工廠配有先進(jìn)的開發(fā)與生產(chǎn)設(shè)施，致力于量產(chǎn)運(yùn)行于650V至1200V的垂直型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容？? 氮化鎵充電器常用貼片Y電容，主要是因?yàn)樗哂幸韵聨讉€(gè)優(yōu)點(diǎn)： 1. 體積小 貼片Y電容的尺寸較小，體積小巧，可以方...
第三代半導(dǎo)體后起之秀：氮化鎵未來幾大新的增長點(diǎn)
比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布
氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.2k 0
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的...
基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動(dòng)汽車逆變器
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參...
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
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