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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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高頻驅動下的第三代半導體服務器電源對磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對話通過行業(yè)內權威教授、服務器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對...
研究機構：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導體市場預計2022年將達到18.4億美元，2025年會進一步增長到52.9億美元”。那么什么是半導體？
Power Integrations推出適合智能照明應用的新款LYT6078C驅動器IC
LYT6078C的性能優(yōu)勢在新的設計報告（DER-920）中得到了充分體現，該報告詳細介紹了使用PFC升壓級外加隔離反激拓撲級的兩級可調光LED鎮(zhèn)流器設計。
力德諾70W多口氮化鎵充電器自帶1.5米可拆卸電源線設計，作為桌面充電器方便日常使用不受空間限制。產品配有LED屏幕可以顯示實時輸出功率，方便了解設備的...
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導率等特點。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米和 1.4納米級節(jié)點上...
馬瑞利與Transphorm達成戰(zhàn)略合作 將進一步完善新能源汽車技術領域的布局
日前，汽車零部件供應商MARELLI（馬瑞利）與半導體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。前者將獲得電動和混合動力車輛領域的的動力總成逆變器開發(fā)技術，...
2020-03-10 標簽：新能源汽車氮化鎵Transphorm 1.3k 0
瑞薩電子近日宣布了一項重大收購，以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元，相當...
隨著市場對混合動力/電動車的需求不斷增加，晶片產業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高；市場研究機構 IHS 指出，來自電源供應器、太陽光電逆變器（PV）...
近日， 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) ...
氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
在這個電子產品更新?lián)Q代速度驚人的時代，半導體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導體材料，比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，因其獨特的優(yōu)勢正成為行業(yè)...
IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發(fā)展這個改善的空間已經不大了
多年來，設計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網應用中實現前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設備或技術成熟度——...
德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM，革新電機驅動設計
德州儀器（TI）近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵（GaN）集成電源模塊（IPM）——DRV7308，專為250W電機驅動器應用量身打造。...
愛美雅）將隆重推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案，目前已與國內通信龍頭及國內一線零售品牌建立了合作關系，未來這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入...
國星半導體氮化鎵專利已申請200多篇 正積極進行第三代半導體相關的技術儲備
近日，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用”及公司參與申報的“彩色M...
用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 1 部分
今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules 微控制器和一個滾輪來調節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固...
針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
電源適配器（Power adapter）是小型便攜式電子設備及電子電器的供電電源變換設備，一般由外殼、變壓器、電感、電容、控制IC、PCB板等元器件組成。
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