GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場規(guī)模將突破43億美元

隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加...

2024-08-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率電子 1.2k 0

氮化鎵已經(jīng)為數(shù)字控制器做好準(zhǔn)備

術(shù)語準(zhǔn)備就緒竟然有如此多不同的含義，真是有趣。若您兒孫滿堂，準(zhǔn)備就緒是指您需要輪流做許多準(zhǔn)備；我們不會(huì)離開30分鐘。在飛機(jī)上，準(zhǔn)備就緒意味著收起您的手機(jī)...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵電源控制器 1.2k 0

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢

自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 1.2k 0

太空任務(wù)中的eGaN晶體管泊位

氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。E...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源MOSFET氮化鎵 1.2k 0

三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場，各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報(bào)

報(bào)道強(qiáng)調(diào)，隨著全球消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導(dǎo)體的價(jià)格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體...

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN半導(dǎo)體代工 1.2k 0

40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售！

誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級側(cè)兩到三顆芯片的功能，通過高集成...

2024-09-10 標(biāo)簽：iPhone氮化鎵快充 1.2k 0

商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開始生效

今天是2023年8月1日，是偉大的中國人民解放軍的建軍節(jié)，也是中華人民共和國經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開始生效的日子...

2023-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2k 0

氮化鎵的好處

GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強(qiáng)的電子遷移率與更...

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 1.2k 0

氮化鎵構(gòu)建新引擎，UE智能插座制勝新賽道

近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動(dòng)充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...

2023-03-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵PD快充 1.2k 0

Mojo Vision開發(fā)300mm藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓

Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢，這對于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費(fèi)電子和高...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵Micro LED 1.2k 0