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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

華燦光電在氮化鎵領(lǐng)域的進(jìn)展概述

7月31日，是世界氮化鎵日。在這個(gè)充滿探索與突破的時(shí)代，氮化鎵憑借其卓越的特質(zhì)和廣袤的應(yīng)用維度，化作科技領(lǐng)域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場(chǎng)，給電子行...

2024-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵華燦光電 1.9k 0

達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)

隨著新型AI算法的迭代及算力的突破，AI將有效解決疫苗/藥物研發(fā)周期長(zhǎng)、成本高等難題，例如提升化合物篩選、建立疾病模型、發(fā)現(xiàn)新靶點(diǎn)、先導(dǎo)化合物發(fā)現(xiàn)及先導(dǎo)...

2021-01-20 標(biāo)簽：氮化鎵阿里巴巴腦機(jī)接口 1.9k 0

示波器探針也會(huì)增加測(cè)量的誤差

Other Parts Discussed in Post: LMG5200當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和...

2021-11-24 標(biāo)簽：電源管理電壓氮化鎵 1.9k 0

除碳可提高GaN電子遷移率？

據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過(guò)減少碳污染來(lái)避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高。

2024-03-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器氮化鎵 1.9k 0

首款氮化鎵充電樁發(fā)布氮化鎵充電更快嗎？

這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理，內(nèi)嵌了燈帶，通過(guò)不同顏色的燈光狀態(tài)來(lái)顯示充電進(jìn)度：綠燈常亮表示已充滿，綠燈閃爍表示充電...

2023-08-30 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 1.9k 0

Nexperia最新發(fā)布的GaN產(chǎn)品

__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專(zhuān)家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來(lái)越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無(wú)引...

2022-09-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN Nexperia 1.8k 0

機(jī)械革命無(wú)界14 Pro銳龍版即將上市，配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡

在屏幕方面，新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏，像素達(dá)到了2880*1800，且具有400nit的光照度（典型值）與100%的sR...

2024-02-23 標(biāo)簽：amd 顯示屏氮化鎵 1.8k 0

GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

2024-01-11 標(biāo)簽：雪崩擊穿氮化鎵 GaN 1.8k 0

GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦：身藏寶藏，初現(xiàn)鋒芒

10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì)，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)...

2023-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.8k 0

金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 1.8k 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器體積只比蘋(píng)果萬(wàn)年5W充電器略大一些

氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 Anker 1.8k 0

Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機(jī)的最新電源

首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn)，其客戶AES ...

2019-12-19 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN AES 1.8k 0

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的...

2024-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.8k 0

TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合...

2025-06-26 標(biāo)簽：氮化鎵 DFN 功率晶體管 1.8k 0

構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而，傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制，這使得載流子的調(diào)控性受到影響

2024-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PN結(jié)氮化鎵 1.8k 0

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案

GaN驅(qū)動(dòng)器對(duì)性能至關(guān)重要，驅(qū)動(dòng)器使驅(qū)動(dòng)電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。

2021-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源 ON Semiconductor 1.8k 0

一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面

近年來(lái)，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無(wú)線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-29 標(biāo)簽：無(wú)線通信諧振器氮化鎵 1.8k 0

納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片

自氮化鎵進(jìn)軍快充市場(chǎng)以來(lái)，不過(guò)短短幾年時(shí)間，其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器，能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...

2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微合封芯片 1.8k 0

納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。

2025-05-08 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 1.8k 0

Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC

PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94％，其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌...

2020-03-15 標(biāo)簽：Power 晶體管氮化鎵 1.8k 0

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植保無(wú)人機(jī)，又名無(wú)人飛行器，顧名思義是用于農(nóng)林植物保護(hù)作業(yè)的無(wú)人駕駛飛機(jī)，該型無(wú)人飛機(jī)由飛行平臺(tái)（固定翼、直升機(jī)、多軸飛行器）、導(dǎo)航飛控、噴灑機(jī)構(gòu)三部分組成，通過(guò)地面遙控或?qū)Ш斤w控，來(lái)實(shí)現(xiàn)噴灑作業(yè)，可以噴灑藥劑、種子、粉劑等。
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