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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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該外延片專為新能源汽車電驅系統(tǒng)開發(fā),以適用目前更高效的800V電壓架構。并且該外延片基于國產設備開發(fā),完全自主可控。
2022-11-18 標簽:氮化鎵 1.9k 0
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽,該模型可以在仿真中準確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性,并降低在設計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風險。
納微半導體GaNSense半橋芯片達到更高層級的效率和節(jié)能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅動器,以及控制、電平轉換、傳感和保護功能,為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構建塊。相...
據(jù)了解,此次信越化學工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術,可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長。信越化學工業(yè)的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合,可以從基板...
宜普電源轉換公司推出100V ~ 200V產品系列的EPC2059氮化鎵場效應晶體管
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商,致力提高產品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本,最新推出EP...
借助 GaN,智能手機制造商可以制造外殼尺寸更小且性價比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價比硅貴,但更高的頻率和更高的功率密度值導致每瓦美元更...
復旦大學芯片院在高速低EMI功率集成電路設計領域取得重要進展
開關電源芯片被廣泛應用于車載電子系統(tǒng)中,完成高效電能轉換。隨著智能駕駛技術的迅速發(fā)展,對開關電源芯片的電磁干擾(EMI)噪聲的要求也日益嚴苛。
韓國晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎金,繼續(xù)加大電力半導體技術投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運營利潤雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅持向員工發(fā)放高額獎金,鼓勵團隊士氣。在半導體領域高端人才爭奪日...
氮化鎵功率芯片行業(yè)領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級副總裁、首席財務官和財務主管。同時,臨時首席財...
2019年,氮化鎵(GaN)方案與技術掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”
隨著2019年5G的正式布局,高效化和智能化已經成為每一個照明企業(yè)都無法回避的問題,各大企業(yè)紛紛布局,通過技術創(chuàng)新實現(xiàn)。其中氮化鎵(GaN)的方案與技術...
國產碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體PCIM Asia 2023亮點回顧
8月29日-31日,上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(簡稱PCIM Asia)在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領先亞洲的電力電子展會,本屆...
南海區(qū)科學技術局領導蒞臨國星半導體調研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力,為南海區(qū)實現(xiàn)產業(yè)高質量發(fā)展提供有力支撐,11月2日下午,南海區(qū)科學技術局局長薛佩華,科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬,科技成果轉化股股...
數(shù)據(jù)中心鈦基準性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務器,每個都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲大量數(shù)據(jù)的內存,因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1.9k 0
近年來,隨著移動設備的普及和科技的不斷進步,人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。
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