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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當前發(fā)展最成款的競禁帶半導體材料，世界各國對氮化鎵的研究重視，美歐日等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...
2023-02-03 標簽：氮化鎵 1.7k 0
氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實現(xiàn)快充
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9...
本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...
格芯收購Tagore氮化鎵技術(shù)，加速GaN功率元件市場創(chuàng)新與發(fā)展
美國領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措，成功收購了Tagore公司專有的、經(jīng)過生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵(...
全球功率半導體市場迅猛增長：消費電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動
除了智能手機，通信設(shè)備、計算機、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費電子產(chǎn)品也對功率半導體市場產(chǎn)生了深遠影響。
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計，因此整體做到相當小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。...
10月30-31日重磅來襲丨CS China常州會議精彩劇透！匯聚頂流技術(shù)大咖，聚焦行業(yè)前沿風向！
化合物半導體是我國重構(gòu)全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭格局的重要突破口！隨著競爭的加劇，化合物半導體材料進入技術(shù)創(chuàng)新爆發(fā)期，各種新技術(shù)、新產(chǎn)品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...
英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN推進汽車激光雷達市場
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過AEC-Q101 認證，適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)...
蘇州高新區(qū)與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會開幕！
9月20日，蘇州高新區(qū)水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會議主要就消費類電子領(lǐng)域首次采用水芯數(shù)字電...
中科院最新實驗數(shù)據(jù)顯示：一片比指甲蓋還小的納米金剛石膜，能讓氮化鎵器件壽命暴增8倍！華為被曝光的實驗室視頻更震撼：用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米級鉆...
基于SP9677M、6520和10R07的65W氮化鎵PD快充降低成本設(shè)計方案
在當今電子設(shè)備高度普及的時代，快充技術(shù)已經(jīng)成為了許多消費者的必備選擇。隨著科技的不斷進步，快充技術(shù)也在不斷發(fā)展，其中65W氮化鎵PD快充技術(shù)以其高效、安...
納微半導體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會，介紹氮化鎵技術(shù)
氮化鎵（GaN）是下一代半導體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....
安世半導體榮獲雙料大獎，引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿
近日，Nexperia（安世半導體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項權(quán)威大獎：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功...
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...
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