亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析

jf_52490301 ? 2023-09-07 17:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、氮化鎵的特性

氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。

二、氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀分析

據(jù)統(tǒng)計(jì),在GaN電力電子方面,到2020年,轉(zhuǎn)換為6英寸的GaN-on-Si外延晶圓的生產(chǎn)能力約為每年28萬件,轉(zhuǎn)換為6英寸的GaN-on-Si器件/模塊的生產(chǎn)能力約為每年22萬件。在GaN微波射頻方面,碳化硅半絕緣襯底(相當(dāng)于4英寸)的生產(chǎn)能力為18萬件/年,碳化鎵外延(相當(dāng)于4英寸)的生產(chǎn)能力為20萬件/年。SiC上的GaN器件/模塊(相當(dāng)于4英寸)產(chǎn)能160,000片/年。

氮化鎵下游應(yīng)用領(lǐng)域主要包括光電子領(lǐng)域、射頻領(lǐng)域和電子電力領(lǐng)域,其中廣播電視領(lǐng)域占68%,射頻領(lǐng)域占20%,電子電力領(lǐng)域占10%,其他領(lǐng)域占2%。

wKgZomT5krmAA_uMAAE-Yb54jC0207.png

氮化鎵


三、氮化鎵產(chǎn)業(yè)競爭格局分析。

雖然碳化硅更多地被用作襯底材料(相比氮化鎵),但國內(nèi)仍有企業(yè)從事氮化鎵單晶的生長,主要包括蘇州納威、東莞中鎵、上海蓋特和新元基等。國內(nèi)從事氮化鎵外延片的廠商主要有凱泰電子、賽維電子、三安光電、晶展半導(dǎo)體、江蘇能化、英諾賽等。從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、Keep Tops、賽微電子、巨燦光電、千兆光電等。

四、氮化鎵材料的應(yīng)用前景。

從2020年開始,氮化鎵(GaN)快充成為“網(wǎng)紅”產(chǎn)品,被小米、OPPO、魅族等手機(jī)廠商“爆紅”。氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域快速增加的同時(shí),其應(yīng)用范圍也在不斷擴(kuò)大,正在向5G、數(shù)據(jù)中心新能源汽車等涉及新基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)域滲透。

(1)5G可以率先打開商業(yè)空間

5G對氮化物的需求增長非常明顯,5G基站所需的功率放大器為氮化物帶來了極好的市場機(jī)會(huì)。由于氮化鎵具有高頻率、高功率密度、低損耗等優(yōu)點(diǎn),射頻器件已成為氮化鎵最有前途的應(yīng)用領(lǐng)域之一。在5G時(shí)代,氮化鎵將加速基站所需的射頻功率放大器(PA)的滲透。2020年3月,工信部在《關(guān)于推進(jìn)5G加快發(fā)展的通知》中指出,將適時(shí)發(fā)布部分5G毫米波頻段和頻率使用計(jì)劃。任冕表示,毫米波基站對射頻功率器件的需求比目前的宏基站市場更為可觀,這將為氮化鎵帶來較大的市場增量。

(2)高效率的功能使數(shù)據(jù)中心

在數(shù)據(jù)中心等高能耗場景中,Keep Tops憑借其高效率將帶來顯著的節(jié)能效果。在電力電子領(lǐng)域,氮化鎵充電器的市場熱度不減。除了追求高頻、小尺寸的快充市場,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、高端工業(yè)配電系統(tǒng)電源等領(lǐng)域也有應(yīng)用潛力。

(3)新能源汽車應(yīng)用已進(jìn)入研發(fā)期

目前,氮化鎵在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用尚處于起步階段,但在未來幾年內(nèi)將呈現(xiàn)漸進(jìn)式增長。在汽車市場,同為第三代半導(dǎo)體的碳化硅得到了應(yīng)用,但氮化鎵仍處于研發(fā)階段。目前Keep Tops新能源的功率器件主要有三個(gè)領(lǐng)域:一是電機(jī)控制器,用于驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)。第二種是OBC(車載充電器),將交流電源轉(zhuǎn)換為新能源汽車動(dòng)力電池可以使用的直流電源。第三種是直流轉(zhuǎn)換器,將動(dòng)力電池的直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電,給儀表盤、顯示屏、監(jiān)控系統(tǒng)等車載設(shè)備供電。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    65

    文章

    1840

    瀏覽量

    119070
  • 氮化鎵電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    24

    瀏覽量

    8911
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2289

    瀏覽量

    78968
  • 寬禁帶半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    103

    瀏覽量

    8572
  • 第三代半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    168

    瀏覽量

    7765
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    衛(wèi)星通信商業(yè)化拐點(diǎn):T/R芯片集成化+GaN賦能,邁入小型

    ? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近年來,隨著全球新一輪科技革命和空間技術(shù)加速演進(jìn),衛(wèi)星通信特別是低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要方向。今年以來,國內(nèi)衛(wèi)星通信產(chǎn)業(yè)迎來前所
    的頭像 發(fā)表于 09-10 11:03 ?8261次閱讀
    衛(wèi)星通信<b class='flag-5'>商業(yè)化</b>拐點(diǎn):T/R芯片集成化+<b class='flag-5'>GaN</b>賦能,邁入小型<b class='flag-5'>化</b>

    衛(wèi)星通信商業(yè)化拐點(diǎn):T/R芯片集成化+GaN賦能,邁入小型

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近年來,隨著全球新一輪科技革命和空間技術(shù)加速演進(jìn),衛(wèi)星通信特別是低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要方向。今年以來,國內(nèi)衛(wèi)星通信產(chǎn)業(yè)迎來前所未有的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?7146次閱讀
    衛(wèi)星通信<b class='flag-5'>商業(yè)化</b>拐點(diǎn):T/R芯片集成化+<b class='flag-5'>GaN</b>賦能,邁入小型<b class='flag-5'>化</b>

    Leadway GaN系列模塊的功率密度

    Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
    發(fā)表于 10-22 09:09

    GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

    繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后,我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體,在消費(fèi)電子領(lǐng)域,特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用,昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 09-02 17:18 ?4213次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

    增強(qiáng)AlN/GaN HEMT

    尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團(tuán)隊(duì)的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重?fù)诫sn型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管,可用于射頻和功率器件
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:44 ?603次閱讀
    增強(qiáng)AlN/<b class='flag-5'>GaN</b> HEMT

    GaN LLC電源EMC優(yōu)化技巧

    目錄 1,整機(jī)線路架構(gòu) 2,初次極安規(guī)Y電容接法 3,PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項(xiàng) 4,LLC環(huán)路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) 5,GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)走線參考 6,變壓器輸出整流注意事項(xiàng) 一,整體線路圖 獲取完整文檔資料可下載附件哦?。。?!如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評論支持一下哦~
    發(fā)表于 05-28 16:15

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?1282次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>與SiC功率器件深度解析

    功率GaN的新趨勢:GaN BDS

    電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān),即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關(guān))。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品,顧名思義,雙
    發(fā)表于 04-20 09:15 ?1116次閱讀

    工業(yè)電機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析

    引言:工業(yè)電機(jī)行業(yè)作為現(xiàn)代制造業(yè)的核心動(dòng)力設(shè)備之一,具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的持續(xù)增長,工業(yè)電機(jī)行業(yè)將迎來更多的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。以下是中研網(wǎng)通過大數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 03-31 14:35

    哪吒汽車加速推進(jìn)南美市場本土進(jìn)程

    近日,哪吒汽車攜全球車型哪吒X在巴西舉辦開年以來首次主流媒體及車評人試駕活動(dòng),加速推進(jìn)南美市場本土進(jìn)程。哪吒X作為中型純電SUV已進(jìn)入超
    的頭像 發(fā)表于 03-10 17:24 ?793次閱讀

    GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-13 16:10 ?0次下載
    <b class='flag-5'>GAN</b>039-650NBB氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)FET規(guī)格書

    GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-13 14:24 ?1次下載
    <b class='flag-5'>GAN</b>041-650WSB氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)FET規(guī)格書

    GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可
    的頭像 發(fā)表于 02-11 13:44 ?892次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    政策與技術(shù)并行,共推Robotaxi商業(yè)化進(jìn)程?

    高級(jí)別自動(dòng)駕駛的發(fā)展離不開政策與技術(shù)的雙重驅(qū)動(dòng)。政府對“車路云一體”建設(shè)的支持推動(dòng)了基礎(chǔ)設(shè)施的完善,同時(shí)高級(jí)別自動(dòng)駕駛的監(jiān)管體系逐步完善,為自動(dòng)駕駛商業(yè)化進(jìn)程提供了政策保障。從技術(shù)角度看,融合感知
    的頭像 發(fā)表于 01-20 10:30 ?903次閱讀
    政策與技術(shù)并行,共推Robotaxi<b class='flag-5'>商業(yè)化</b><b class='flag-5'>進(jìn)程</b>?

    新型儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢-2024年上半年數(shù)據(jù)發(fā)布簡版

    新型儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢-2024年上半年數(shù)據(jù)發(fā)布 簡版
    發(fā)表于 01-03 15:14 ?0次下載