澤攸科技ZEL304G電子束光刻機（EBL）是一款高性能、高精度的光刻設備，專為半導體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設計。該系統(tǒng)采用先進的場發(fā)射電子槍，結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，確保光刻質(zhì)量優(yōu)異且效率卓越。標配的高精度激光干涉樣品臺能夠滿足大行程高精度拼接和套刻需求，為復雜實驗和生產(chǎn)任務提供可靠支持。其核心優(yōu)勢在于卓越的成像能力和靈活的掃描模式，可實現(xiàn)多種矢量掃描方式，包括順序掃描、循環(huán)掃描和螺旋型掃描，同時支持多圖層自動曝光與場校準功能，滿足多樣化的工藝要求。此外，設備兼容多種圖形文件格式，并可通過選配附件（如UPS不間斷電源和主動減震臺）進一步提升運行穩(wěn)定性。無論是新材料研究、前沿物理探索，還是半導體、微電子、光子學及量子技術領域的應用，ZEL304G均表現(xiàn)出色，是科研與工程領域的理想選擇。
? 產(chǎn)品特色
▲ 激光干涉樣品臺：先進的激光干涉樣品臺，滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場發(fā)射電子槍：高分辨場發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
▲ 圖形發(fā)生器：在保證超高速掃描的同時實現(xiàn)超高分辨率圖案繪制
? 樣品臺指標
樣品臺指標 | |||
標配 | 激光干涉樣品臺 | ||
樣品臺行程 | ≤105 mm | ||
電子槍及成像指標 | |||
肖特基場發(fā)射電子槍 | 加速電壓20V~30kV；旁側(cè)二次電子探測器和鏡筒內(nèi)電子探測器 | ||
圖像分辨率 | ≤1nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1kV | ||
束流密度 | > 5300A/cm2 | ||
最小束斑尺寸 | ≤2nm | ||
光刻指標 | |||
電子束閘 | 上升沿<100ns | ||
寫視場 | ≤500×500um | ||
最小單次曝光線寬 | 10 ±2nm | ||
掃描速度 | 25 MHz / 50 MHz | ||
圖形發(fā)生器參數(shù) | |||
控制核心 | 高性能FPGA | 停留時間最小增量 | 10ns |
最大掃描速度 | 50MHz | 圖形文件格式 | GDSII、DXF、BMP等 |
D/A分辨率 | 20位 | 法拉第杯束流測量 | 包含 |
支持的寫場大小 | 10um~500um | 臨近效應校正 | 可選項 |
束閘支持 | 5V TTL | 激光干涉位移臺 | 可選項 |
掃描方式 | 順序掃描（Z型）、循環(huán)掃描（S型）、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式 | ||
曝光模式 | 支持場校準、場拼接，支持套刻，支持多圖層自動曝光 | ||
外接通道支持 | 支持電子束掃描、工件臺移動、束閘通斷、二次電子檢測 | ||
? 應用案例
▲均勻性測試
▲場拼接（游標卡尺測量）和最小線寬測試
▲HSQ膠
▲PMMA膠
▲厚膠測試
▲長光柵無縫拼接
▲電子束鄰近效應校正功能 · 劑量校正效果
▲劑量校正前后對比
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