亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

芯矽科技

專(zhuān)業(yè)濕法設(shè)備的制造商,為用戶(hù)提供最專(zhuān)業(yè)的工藝解決方案

108 內(nèi)容數(shù) 4.5w 瀏覽量 1 粉絲

臥式石英管舟清洗機(jī) 芯矽科技

型號(hào): wssygzqxj

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 非標(biāo)定制 根據(jù)需求定制

--- 產(chǎn)品詳情 ---

一、產(chǎn)品概述

臥式石英管舟清洗機(jī)是一款專(zhuān)為半導(dǎo)體、光伏、光學(xué)玻璃等行業(yè)設(shè)計(jì)的高效清洗設(shè)備,主要用于去除石英管舟、載具、硅片承載器等石英制品表面的污垢、殘留顆粒、有機(jī)物及氧化層。該設(shè)備采用臥式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),結(jié)合化學(xué)腐蝕、超聲波清洗、兆聲波清洗及熱風(fēng)干燥等技術(shù),確保石英器件的高精度清潔度與表面完整性。

二、核心功能與特點(diǎn)

臥式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

  • 水平布局,便于石英管舟的裝卸與傳輸,減少人工操作強(qiáng)度。
  • 兼容多種尺寸的石英舟(如2寸、4寸、6寸、8寸等),適應(yīng)不同工藝需求。

多槽分段清洗

  • 預(yù)清洗槽:去除表面大顆粒與松散污染物(可選配兆聲波增強(qiáng))。
  • 主清洗槽:采用高純度化學(xué)試劑(如HF、HCL、H?O?等)進(jìn)行腐蝕清洗,精確控制石英表面微觀形貌。
  • 漂洗槽:多級(jí)去離子水(DI Water)沖洗,徹底清除化學(xué)殘留。
  • 干燥槽:熱風(fēng)循環(huán)干燥或真空干燥,避免水痕與二次污染。

高效清洗技術(shù)

  • 超聲波清洗:頻率20-40kHz,空化效應(yīng)剝離頑固污染物。
  • 兆聲波清洗(可選):高頻(>1MHz)聲波產(chǎn)生微米級(jí)氣泡爆破,清除亞微米顆粒。
  • 化學(xué)腐蝕控制:自動(dòng)配比化學(xué)液,恒溫加熱(20-80℃可調(diào)),確保均勻腐蝕。

自動(dòng)化與安全性

  • PLC程序控制:預(yù)設(shè)清洗流程,支持手動(dòng)/自動(dòng)模式切換。
  • 溫度與時(shí)間控制:各槽獨(dú)立溫控(±1℃),清洗時(shí)間可編程(0-60分鐘)。
  • 安全保護(hù):防腐蝕材料腔體(如PFA、PTFE),泄漏檢測(cè)與緊急排液系統(tǒng)。

兼容性與擴(kuò)展性

  • 可定制酸液配方(如BOE、RCA清洗液)與工藝參數(shù),滿(mǎn)足特殊清洗需求。
  • 可選配UV臭氧去膠模塊或等離子體清洗模塊,增強(qiáng)有機(jī)污染物處理能力。

三、適用場(chǎng)景

  1. 半導(dǎo)體制造:清洗擴(kuò)散爐石英舟、CVD石墨舟、光刻機(jī)部件等。
  2. 光伏行業(yè):太陽(yáng)能電池片承載石英舟的顆粒與金屬污染去除。
  3. 光學(xué)玻璃加工:光學(xué)鏡片模具、石英坩堝的潔凈度維護(hù)。
  4. 科研實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)室級(jí)高精度石英器件清洗。

四、清洗流程示例

  1. 裝載:將待清洗石英舟放入臥式清洗艙,關(guān)閉密封門(mén)。
  2. 預(yù)清洗:兆聲波+DI水初步去除顆粒(5分鐘,室溫)。
  3. 主清洗:HF/HNO?混合液超聲清洗(15分鐘,40℃)。
  4. 漂洗:多級(jí)DI水沖洗(3槽,每槽5分鐘)。
  5. 干燥:熱風(fēng)干燥(120℃,10分鐘)或真空干燥(30分鐘)。
  6. 卸載:取出潔凈石英舟,進(jìn)入潔凈存儲(chǔ)環(huán)境。

為你推薦

  • 兆聲波清洗對(duì)晶圓有什么潛在損傷2025-11-04 16:13

    兆聲波清洗通過(guò)高頻振動(dòng)(通常0.8–1MHz)在清洗液中產(chǎn)生均勻空化效應(yīng),對(duì)晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而,其潛在損傷風(fēng)險(xiǎn)需結(jié)合工藝參數(shù)與材料特性綜合評(píng)估:表面微結(jié)構(gòu)機(jī)械損傷納米級(jí)劃痕與凹坑:兆聲波產(chǎn)生的微射流和聲流沖擊力可達(dá)數(shù)百M(fèi)Pa,若功率密度過(guò)高或作用時(shí)間過(guò)長(zhǎng),可能對(duì)晶圓表面造成微觀劃痕或局部腐蝕。圖形結(jié)構(gòu)變形風(fēng)險(xiǎn):對(duì)于高深寬比的3DNAND閃存結(jié)
    82瀏覽量
  • 超聲清洗機(jī)30khz和40khz哪個(gè)好些2025-11-04 16:00

    在選擇超聲清洗機(jī)時(shí),30kHz和40kHz的頻率各有特點(diǎn),需根據(jù)具體需求權(quán)衡:一、空化效應(yīng)與清洗強(qiáng)度30kHz(低頻):頻率較低,產(chǎn)生的氣泡更大,破裂時(shí)沖擊力更強(qiáng),適合去除頑固污垢或大型部件表面的重油污。但可能對(duì)精密零件造成損傷,且噪音較大。例如工業(yè)場(chǎng)景中清洗機(jī)械零件或帶有結(jié)合力較強(qiáng)污染物的設(shè)備。40kHz(高頻):氣泡更小且密集,沖擊力均勻溫和,穿透力強(qiáng),
    61瀏覽量
  • 破局晶圓污染難題:硅片清洗對(duì)良率提升的關(guān)鍵作用2025-10-30 10:47

    去除表面污染物,保障工藝精度顆粒物清除:在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,晶圓表面極易附著微小的顆粒雜質(zhì)。這些顆粒若未被及時(shí)清除,可能會(huì)在后續(xù)的光刻、刻蝕等工序中引發(fā)問(wèn)題。例如,它們可能導(dǎo)致光刻膠涂層不均勻,影響圖案轉(zhuǎn)移的準(zhǔn)確性;或者在刻蝕時(shí)造成局部過(guò)刻或欠刻,從而改變電路的設(shè)計(jì)尺寸和性能。通過(guò)有效的清洗,可以確保晶圓表面的平整度和潔凈度,為高精度的加工工藝提供基礎(chǔ)保障。
  • 從晶圓到芯片:全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)的精密制造賦能2025-10-30 10:45

    全自動(dòng)硅片腐蝕清洗機(jī)的核心功能與工藝特點(diǎn)圍繞高效、精準(zhǔn)和穩(wěn)定的半導(dǎo)體制造需求展開(kāi),具體如下:核心功能均勻可控的化學(xué)腐蝕動(dòng)態(tài)浸泡與旋轉(zhuǎn)同步機(jī)制:通過(guò)晶圓槽式浸泡結(jié)合特制轉(zhuǎn)籠自動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)計(jì),使硅片在蝕刻液中保持勻速運(yùn)動(dòng),確保各區(qū)域受蝕刻作用一致,實(shí)現(xiàn)極高的表面平整度(如增量δTTV≤1.5μm)。這種動(dòng)態(tài)處理方式有效避免局部過(guò)蝕或欠蝕問(wèn)題,尤其適用于復(fù)雜圖形化的晶
  • 清洗晶圓去除金屬薄膜用什么2025-10-28 11:52

    清洗晶圓以去除金屬薄膜需要根據(jù)金屬類(lèi)型、薄膜厚度和工藝要求選擇合適的方法與化學(xué)品組合。以下是詳細(xì)的技術(shù)方案及實(shí)施要點(diǎn):一、化學(xué)濕法蝕刻(主流方案)酸性溶液體系稀鹽酸(HCl)或硫酸(H?SO?)基配方:適用于大多數(shù)金屬(如鋁、銅、鎳)。例如,用濃度5%~10%的HCl溶液可有效溶解鋁層,反應(yīng)生成可溶性氯化鋁絡(luò)合物。若添加雙氧水(H?O?)作為氧化劑,能加速金
    79瀏覽量
  • 半導(dǎo)體六大制程工藝2025-10-28 11:47

    1.晶圓制備(WaferPreparation)核心目標(biāo):從高純度多晶硅出發(fā),通過(guò)提純、單晶生長(zhǎng)和精密加工獲得高度平整的圓形硅片(晶圓)。具體包括直拉法或區(qū)熔法拉制單晶錠,切片后進(jìn)行研磨、拋光處理,最終形成納米級(jí)表面粗糙度的襯底材料。例如,現(xiàn)代先進(jìn)制程普遍采用300mm直徑的大尺寸晶圓以提高生產(chǎn)效率。該過(guò)程為后續(xù)所有微納加工奠定物理基礎(chǔ),其質(zhì)量直接影響器件性
  • 晶圓清洗后如何判斷是否完全干燥2025-10-27 11:27

    判斷晶圓清洗后是否完全干燥需要綜合運(yùn)用多種物理檢測(cè)方法和工藝監(jiān)控手段,以下是具體的實(shí)施策略與技術(shù)要點(diǎn):1.目視檢查與光學(xué)顯微分析表面反光特性觀察:在高強(qiáng)度冷光源斜射條件下,完全干燥的晶圓呈現(xiàn)均勻鏡面反射效果,無(wú)任何水膜干涉條紋或暈染現(xiàn)象。若存在局部濕潤(rùn)區(qū)域,光線散射會(huì)產(chǎn)生模糊的暗斑或彩色光暈。顯微鏡下微觀驗(yàn)證:使用金相顯微鏡放大觀察晶圓邊緣及圖案結(jié)構(gòu)凹槽處,
    68瀏覽量
  • 晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)2025-10-27 11:20

    晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段,具有以下顯著優(yōu)點(diǎn):高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過(guò)選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件,濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的高效去除,同時(shí)極大限度地減少對(duì)非目標(biāo)區(qū)域(如掩膜覆蓋部分)的影響。這種高選擇性源于不同材料在腐蝕液中的溶解速率差異,例如使用緩沖氧化物刻蝕液(BOE)時(shí),二氧化硅的刻蝕速度遠(yuǎn)高于硅基底,從而確保精確的圖案轉(zhuǎn)移。
    102瀏覽量
  • 硅片酸洗過(guò)程的化學(xué)原理是什么2025-10-21 14:39

    硅片酸洗過(guò)程的化學(xué)原理主要基于酸與硅片表面雜質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng),通過(guò)特定的酸性溶液溶解或絡(luò)合去除污染物。以下是其核心機(jī)制及典型反應(yīng):氫氟酸(HF)對(duì)氧化層的腐蝕作用反應(yīng)機(jī)理:HF是唯一能高效蝕刻二氧化硅(SiO?)的試劑,生成揮發(fā)性的四氟化硅和水。若HF過(guò)量,則進(jìn)一步形成六氟合硅酸(H?SiF?):SiO?+4HF→SiF?↑+2H?OSiO?+6HF→H?S
    144瀏覽量
  • 硅片酸洗單元如何保證清洗效果2025-10-21 14:33

    硅片酸洗單元保證清洗效果的核心在于精準(zhǔn)控制化學(xué)反應(yīng)過(guò)程、優(yōu)化物理作用機(jī)制以及實(shí)施嚴(yán)格的污染防控。以下是具體實(shí)現(xiàn)路徑:一、化學(xué)反應(yīng)的精確調(diào)控1.配方動(dòng)態(tài)適配性根據(jù)硅片表面污染物類(lèi)型(如金屬雜質(zhì)、天然氧化層或有機(jī)殘留物),采用分段式混酸配比策略。例如:針對(duì)重金屬污染區(qū)域,局部強(qiáng)化氫氟酸(HF)濃度以加速絡(luò)合反應(yīng);對(duì)厚氧化層區(qū)域則提高硝酸(HNO?)比例增強(qiáng)氧化剝
    131瀏覽量