動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-10-30 10:47

  破局晶圓污染難題：硅片清洗對良率提升的關(guān)鍵作用

  

  去除表面污染物，保障工藝精度顆粒物清除：在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓表面極易附著微小的顆粒雜質(zhì)。這些顆粒若未被及時清除，可能會在后續(xù)的光刻、刻蝕等工序中引發(fā)問題。例如，它們可能導(dǎo)致光刻膠涂層不均勻，影響圖案轉(zhuǎn)移的準(zhǔn)確性；或者在刻蝕時造成局部過刻或欠刻，從而改變電路的設(shè)計尺寸和性能。通過有效的清洗，可以確保晶圓表面的平整度和潔凈度，為高精度的加工工藝提供基礎(chǔ)保障。

  半導(dǎo)體制造 晶圓 硅片

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• 發(fā)布了文章 2025-10-30 10:45

  從晶圓到芯片：全自動腐蝕清洗機的精密制造賦能

  

  全自動硅片腐蝕清洗機的核心功能與工藝特點圍繞高效、精準(zhǔn)和穩(wěn)定的半導(dǎo)體制造需求展開，具體如下：核心功能均勻可控的化學(xué)腐蝕動態(tài)浸泡與旋轉(zhuǎn)同步機制：通過晶圓槽式浸泡結(jié)合特制轉(zhuǎn)籠自動旋轉(zhuǎn)設(shè)計，使硅片在蝕刻液中保持勻速運動，確保各區(qū)域受蝕刻作用一致，實現(xiàn)極高的表面平整度（如增量δTTV≤1.5μm）。這種動態(tài)處理方式有效避免局部過蝕或欠蝕問題，尤其適用于復(fù)雜圖形化的晶

  晶圓 清洗機 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-10-28 11:52

  清洗晶圓去除金屬薄膜用什么

  

  清洗晶圓以去除金屬薄膜需要根據(jù)金屬類型、薄膜厚度和工藝要求選擇合適的方法與化學(xué)品組合。以下是詳細的技術(shù)方案及實施要點：一、化學(xué)濕法蝕刻（主流方案）酸性溶液體系稀鹽酸（HCl）或硫酸（H?SO?）基配方：適用于大多數(shù)金屬（如鋁、銅、鎳）。例如，用濃度5%~10%的HCl溶液可有效溶解鋁層，反應(yīng)生成可溶性氯化鋁絡(luò)合物。若添加雙氧水（H?O?）作為氧化劑，能加速金

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-10-28 11:47

  半導(dǎo)體六大制程工藝

  

  1.晶圓制備（WaferPreparation）核心目標(biāo)：從高純度多晶硅出發(fā)，通過提純、單晶生長和精密加工獲得高度平整的圓形硅片（晶圓）。具體包括直拉法或區(qū)熔法拉制單晶錠，切片后進行研磨、拋光處理，最終形成納米級表面粗糙度的襯底材料。例如，現(xiàn)代先進制程普遍采用300mm直徑的大尺寸晶圓以提高生產(chǎn)效率。該過程為后續(xù)所有微納加工奠定物理基礎(chǔ)，其質(zhì)量直接影響器件性

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體制程 半導(dǎo)體制造 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-10-27 11:27

  晶圓清洗后如何判斷是否完全干燥

  

  判斷晶圓清洗后是否完全干燥需要綜合運用多種物理檢測方法和工藝監(jiān)控手段，以下是具體的實施策略與技術(shù)要點：1.目視檢查與光學(xué)顯微分析表面反光特性觀察：在高強度冷光源斜射條件下，完全干燥的晶圓呈現(xiàn)均勻鏡面反射效果，無任何水膜干涉條紋或暈染現(xiàn)象。若存在局部濕潤區(qū)域，光線散射會產(chǎn)生模糊的暗斑或彩色光暈。顯微鏡下微觀驗證：使用金相顯微鏡放大觀察晶圓邊緣及圖案結(jié)構(gòu)凹槽處，

  檢測

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• 發(fā)布了文章 2025-10-27 11:20

  晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點

  

  晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點：高選擇性與精準(zhǔn)保護通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標(biāo)材料的高效去除，同時極大限度地減少對非目標(biāo)區(qū)域（如掩膜覆蓋部分）的影響。這種高選擇性源于不同材料在腐蝕液中的溶解速率差異，例如使用緩沖氧化物刻蝕液（BOE）時，二氧化硅的刻蝕速度遠高于硅基底，從而確保精確的圖案轉(zhuǎn)移。

  刻蝕 晶圓 濕法

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• 發(fā)布了文章 2025-10-21 14:39

  硅片酸洗過程的化學(xué)原理是什么

  

  硅片酸洗過程的化學(xué)原理主要基于酸與硅片表面雜質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)，通過特定的酸性溶液溶解或絡(luò)合去除污染物。以下是其核心機制及典型反應(yīng)：氫氟酸（HF）對氧化層的腐蝕作用反應(yīng)機理：HF是唯一能高效蝕刻二氧化硅（SiO?）的試劑，生成揮發(fā)性的四氟化硅和水。若HF過量，則進一步形成六氟合硅酸（H?SiF?）：SiO?+4HF→SiF?↑+2H?OSiO?+6HF→H?S

  硅片 酸洗

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• 發(fā)布了文章 2025-10-21 14:33

  硅片酸洗單元如何保證清洗效果

  

  硅片酸洗單元保證清洗效果的核心在于精準(zhǔn)控制化學(xué)反應(yīng)過程、優(yōu)化物理作用機制以及實施嚴(yán)格的污染防控。以下是具體實現(xiàn)路徑：一、化學(xué)反應(yīng)的精確調(diào)控1.配方動態(tài)適配性根據(jù)硅片表面污染物類型（如金屬雜質(zhì)、天然氧化層或有機殘留物），采用分段式混酸配比策略。例如：針對重金屬污染區(qū)域，局部強化氫氟酸（HF）濃度以加速絡(luò)合反應(yīng)；對厚氧化層區(qū)域則提高硝酸（HNO?）比例增強氧化剝

  大硅片 硅片 酸洗

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• 發(fā)布了文章 2025-10-20 11:21

  SC2溶液可以重復(fù)使用嗎

  

  SC2溶液通常不建議重復(fù)使用，主要原因如下：污染物累積導(dǎo)致效率下降SC2溶液（典型配方為HCl:H?O?:H?O）在清洗過程中會逐漸溶解金屬離子、顆粒物及其他雜質(zhì)。隨著使用次數(shù)增加，溶液中的污染物濃度升高，不僅降低對新硅片的清洗效果，還可能因飽和而析出沉淀，造成二次污染。例如，溶解的銅離子若達到一定濃度后，反而可能重新附著在晶圓表面形成缺陷。過氧化氫分解產(chǎn)物

  晶圓 溶液

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• 發(fā)布了文章 2025-10-20 11:18

  如何選擇合適的SC1溶液來清洗硅片

  

  選擇合適的SC1溶液清洗硅片需要綜合考慮多個因素，以下是具體的方法和要點：明確污染物類型與污染程度有機物污染為主時：如果硅片表面主要是光刻膠、油脂等有機污染物，應(yīng)適當(dāng)增加過氧化氫（H?O?）的比例。因為H?O?作為強氧化劑，能有效分解有機物分子鏈，將其轉(zhuǎn)化為水溶性物質(zhì)便于清洗。例如，當(dāng)有機物污染嚴(yán)重時，可將NH?OH:H?O?:H?O的配比從常規(guī)的1:2:5

  清洗工藝 溶液

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