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GaN的襯底類型及在5G通信中的應(yīng)用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

2023-02-13 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 GaN 1.4k 0

PD快充IC U8726AHE的工作原理

準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域，特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動電路、保護電路...

2025-07-04 標(biāo)簽：充電器 FET GaN 1.4k 0

GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計

2023-01-30 標(biāo)簽：GaN 寬帶功率放大器 1.4k 0

具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.3k 0

高/低功率各不相同，射頻電路電源管理這門學(xué)問你真的懂么？

電源管理是一門科學(xué)藝術(shù)，它通過優(yōu)化輸入和輸出信號來最大化 RF 設(shè)備的效率和性能，這不是一件容易的事。每臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都有自己獨特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...

2023-05-16 標(biāo)簽：電源管理 RF wi-fi 1.3k 0

“TPY-X”雷達的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計方案

當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機動性和極端操作環(huán)境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...

2022-10-26 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 1.3k 0

IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 1.3k 0

納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹

納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著...

2025-06-09 標(biāo)簽：驅(qū)動電路氮化鎵 GaN 1.3k 0

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...

2025-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.3k 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽：萬用表 SiC GaN 1.3k 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計用...

2022-08-04 標(biāo)簽：控制器 FET GaN 1.3k 0

TMS320F280039微控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計，包...

2025-09-30 標(biāo)簽：微控制器 cpu SiC 1.3k 0

氮化鎵能實現(xiàn)多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設(shè)計...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動器 FET 1.3k 0

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led 半導(dǎo)體氮化鎵 1.3k 0

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 氮化鎵 1.3k 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計柵極驅(qū)...

2024-09-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器 SiC GaN 1.3k 0

羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動器

通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題：驅(qū)動電壓低，容易誤啟動；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動器，不僅增加了設(shè)計復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。

2023-07-23 標(biāo)簽：驅(qū)動器 GaN 外圍電路 1.3k 0

GaN FET在應(yīng)用中的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具...

2022-07-18 標(biāo)簽：電源 ti FET 1.3k 0

GaN實現(xiàn)下一代高頻電路

提高功率密度的關(guān)鍵是提高開關(guān)頻率，以最大限度地減少無源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器 GaN 高頻電路 1.3k 0

Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異

RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它技術(shù)，有時設(shè)計具有一定挑戰(zhàn)性；

2023-11-21 標(biāo)簽：功率放大器電源管理負(fù)電壓 1.2k 0

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藍牙5

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標(biāo)準(zhǔn)。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
Qorvo

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5G手機

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍牙5.0

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藍牙5.0是由藍牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進行遠距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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　　超外差接收機是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
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藍牙Mesh是基于ble廣播進行消息傳遞的一種藍牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍牙設(shè)備與藍牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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