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gan技術(shù)

用一個Hercules LaunchPad開發(fā)套件控制GaN功率級

與LMG5200評估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅(qū)動GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開，并且連接你的LaunchPad開發(fā)套件。

2023-04-14 標簽：微控制器集成電路 GaN 1.2k 0

基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模

GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems...

2025-03-11 標簽：RC GaN 熱仿真 1.2k 0

GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC GaN 1.2k 0

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-06-15 標簽：功率器件 GaN 功率半導(dǎo)體 1.2k 0

寬帶隙技術(shù)能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度

作者：得捷電子事實證明，高壓 LED 照明可以有效地取代高強度放電（HID）照明等先前技術(shù)。隨著高壓 LED照明得到采用，許多制造商爭相生產(chǎn)并在各...

2023-10-03 標簽：led 二極管轉(zhuǎn)換器 1.1k 0

測量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)

這種測量交叉?zhèn)鲗?dǎo)的簡單且經(jīng)濟高效的方法利用了GaN 晶體管的獨特特性。

2022-08-04 標簽：電源晶體管 GaN 1.1k 0

使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。

2023-02-19 標簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體器件 1.1k 0

GaN/金剛石功率器件界面的熱管理

? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特擊穿電壓的演示長期以來一直激勵著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...

2024-06-04 標簽：電子器件功率器件 GaN 1.1k 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)

眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設(shè)計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當，可能會導(dǎo)致組件損壞...

2023-02-22 標簽：功率放大器電源管理 GaN 1.1k 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓撲的創(chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率器件 GaN 1.1k 0

氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

2024-10-30 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 1.1k 0

適用于高達220W的USB PD 3.1 適配器的新型高壓GaN解決方案

擴大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍，使充電器/適配器設(shè)計人員能夠輕松超過 23 W/in。3用于單輸出或多...

2022-07-29 標簽：控制器適配器 GaN 1.1k 0

GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學(xué)取得新突破

GaN基Micro LED與其驅(qū)動（如HEMT、MOSFET等）的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢，獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的...

2023-07-07 標簽：OLED lcd GaN 1.1k 0

最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)與應(yīng)用

由于AlN和GaN之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配，導(dǎo)致很難獲得高質(zhì)量的AlN/GaN布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflect...

2023-06-07 標簽：激光器數(shù)據(jù)庫 GaN 1.1k 0

芯元基實現(xiàn)高效純紅光量子點芯片技術(shù)分析

芯元基的量子點MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計外，也可以更好的解決獨立子像素間的光串擾問...

2023-07-13 標簽：Mini GaN 量子點 1.1k 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動性、...

2023-08-02 標簽：電磁干擾氮化鎵 GaN 1.1k 0

集成的專業(yè)知識為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段（8–12 GHz）的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1k 0

BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用

保護USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負載開關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計人員只能使用兩個N型MOSFE...

2024-10-24 標簽：MOSFET 電源管理 GaN 1.1k 0

淺談GaN 異質(zhì)襯底外延生長方法

HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...

2023-06-11 標簽：GaN GaN晶體管 1.1k 0

提高太陽能逆變器設(shè)計的效率

太陽能有助于降低發(fā)電相關(guān)成本。這個行業(yè)最熱門的話題之一就是電源轉(zhuǎn)換效率。為了提高0.1%的效率，太陽能逆變器制造商往往需要投入大量的時間?？紤]到更高的效...

2023-03-30 標簽：電源太陽能 GaN 1.1k 0

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藍牙5

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
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5G手機

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
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藍牙5.0是由藍牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍牙技術(shù)標準，藍牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進行遠距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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藍牙Mesh是基于ble廣播進行消息傳遞的一種藍牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍牙設(shè)備與藍牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
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　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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