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      文章：2001個(gè) 瀏覽：78996次 帖子：160個(gè)

      gan技術(shù)

      TMS320F28P550SJ 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

      TMS320F28P550SJ 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

      TMS320F28P55x （F28P55x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

      2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器AISiC 1.5k 0

      電源管理芯片U8733產(chǎn)品概述

      驅(qū)動(dòng)電流分檔功能?是指通過(guò)配置不同的分壓電阻值來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流的檔位，從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

      2024-12-30 標(biāo)簽：封裝FETGaN 1.5k 0

      德州儀器白皮書(shū)：GaN將能源效率推升至新高度

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      GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過(guò)去，這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而，隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加，挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上

      2020-08-04 標(biāo)簽：德州儀器GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0

      使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

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      氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車(chē)充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...

      2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0

      GaN FET助力80 PLUS鈦金級(jí)效率

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      盡管工業(yè)電源（包括數(shù)據(jù)中心）的形狀和尺寸各異，但是它們的共同之處是需要保持安全、高效和穩(wěn)定。由于工業(yè)電源需要在各種負(fù)載下，全天候保持高效率，因此80 P...

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      基于GaN的高功率穩(wěn)壓輸出電源方案

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      隨著這些基于 DPA 的服務(wù)器和工作站隨著時(shí)間的推移變得越來(lái)越小，在這些系統(tǒng)中啟用 IBA 方案的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或磚也必須如此。包括四分之一...

      2022-08-03 標(biāo)簽：fpga微處理器GaN 1.5k 0

      航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件（下）

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      由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會(huì)得到更大...

      2024-01-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體GaN 1.5k 0

      愛(ài)美雅科技引領(lǐng)快充市場(chǎng)：TP44100內(nèi)置GaN MOS芯片的240W快充解決方案

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      在現(xiàn)代社會(huì)中，移動(dòng)設(shè)備和電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的一部分。然而，隨著電子產(chǎn)品的功能不斷增加，用戶(hù)對(duì)于快速充電的需求也越來(lái)越迫切。作為一家領(lǐng)先的...

      2023-06-16 標(biāo)簽：芯片MOSGaN 1.5k 0

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      納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...

      2023-09-01 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1.5k 0

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      盡管生成式面部先驗(yàn)和結(jié)構(gòu)化面部先驗(yàn)最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復(fù)結(jié)果，穩(wěn)定、可靠生成更細(xì)粒度的臉部細(xì)節(jié)仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。

      2023-03-08 標(biāo)簽：解碼器GaN生成器 1.5k 0

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      2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1.5k 0

      電源設(shè)計(jì)中的模擬GaN晶體管

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      GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 ...

      2022-08-05 標(biāo)簽：晶體管GaN 1.5k 0

      目前存在哪些與800V電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)

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      電動(dòng)汽車(chē) (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場(chǎng)對(duì)優(yōu)化設(shè)計(jì)、降低成本和提升車(chē)輛運(yùn)行效率的需求，并為產(chǎn)品測(cè)試提出了新的難題。

      2024-02-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1.5k 0

      不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

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      2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.5k 0

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      2023-11-21 標(biāo)簽：GaN生成器圖像生成 1.5k 0

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      2023-05-24 標(biāo)簽：RF氮化鎵GaN 1.5k 0

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      氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

      2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1.5k 0

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      在過(guò)去幾年中，航天市場(chǎng)通過(guò)采用以前在空間系統(tǒng)中看不到的新技術(shù)，朝著更高效的電源解決方案發(fā)展?？臻g硬件受到惡劣環(huán)境條件的影響，包括電離輻射，因此必須使用抗...

      2023-05-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器變換器衛(wèi)星 1.5k 0

      使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

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      2024-02-13 標(biāo)簽：電源DCGaN 1.5k 0

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      第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

      2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 1.4k 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線(xiàn)、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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      • 藍(lán)牙m(xù)esh
        藍(lán)牙m(xù)esh
        +關(guān)注
        藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
      • HBT
        HBT
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        　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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