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gan技術(shù)

針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!

針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!

切割出片數(shù)量方面,以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例,在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí),KABRA工藝可切11片,相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 1.4k 1

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

2024-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.4k 0

瑞薩電子氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)

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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星,它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度,有效滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求和趨勢(shì)。

2024-07-05 標(biāo)簽:逆變器GaN瑞薩電子 1.4k 0

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...

2023-02-25 標(biāo)簽:氮化鎵GaNLEDs 1.4k 0

晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

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硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?;诠枰r底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化...

2023-10-13 標(biāo)簽:GaN硅襯底晶能光電 1.4k 0

新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強(qiáng)系統(tǒng)電流測(cè)量精度

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最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計(jì)和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能,這極大地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了校準(zhǔn)時(shí)間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標(biāo)簽:adcSiC調(diào)制器 1.4k 0

擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求

日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會(huì),公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國(guó)APEC展(國(guó)際電力電子應(yīng)用...

2023-03-24 標(biāo)簽:功率開關(guān)PDSiC 1.4k 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

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基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵GaN 1.4k 0

雷達(dá)的常見分類方法及發(fā)展趨勢(shì)

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GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性,但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化,在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì): 優(yōu)勢(shì): GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性,可以提...

2023-07-10 標(biāo)簽:氮化鎵GaN 1.4k 0

GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)

在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LM...

2022-11-18 標(biāo)簽:pcb散熱器FET 1.4k 0

45W電源芯片U8765的高壓?jiǎn)?dòng)功能

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高壓?jiǎn)?dòng)是電源芯片在工作中啟動(dòng)的一種方式,通常是在電源芯片啟動(dòng)時(shí)加入一個(gè)高壓信號(hào),使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓?jiǎn)?dòng)...

2024-12-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路GaN電源芯片 1.4k 0

ChatGPT核心技術(shù):transformer的核心算法結(jié)構(gòu)

由于transformer是更高級(jí)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)深度學(xué)習(xí)算法,對(duì)數(shù)據(jù)量有很高要求,這也催生了從小數(shù)據(jù)如何快速產(chǎn)生大數(shù)據(jù)的算法,比如GAN對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)等。

2023-03-08 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN深度學(xué)習(xí) 1.4k 0

適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

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作者:Kenton Williston 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類...

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作者:Jens Wallmann 電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)...

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SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

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本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...

2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.4k 0

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UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電...

2025-01-21 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 1.4k 0

基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略

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論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...

2025-04-23 標(biāo)簽:功率因數(shù)數(shù)字控制GaN 1.4k 0

提升RF功率放大器的脈沖保真度

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考慮到功率對(duì)雷達(dá)探測(cè)距離的重要性,工程師可能會(huì)完全專注于在尺寸限制內(nèi)盡可能多地提升功率 — 通過使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技術(shù)獲取最高的...

2023-05-20 標(biāo)簽:功率放大器RFGaN 1.4k 0

如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì),具有極佳的散熱性能。

2022-11-30 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動(dòng)器PMIC 1.4k 0

三菱電機(jī)采用單個(gè)GaN功率放大器實(shí)現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行

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三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月8日)宣布,該公司已開發(fā)出首款使用單個(gè)放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術(shù)已被證明可用于...

2023-06-27 標(biāo)簽:通信系統(tǒng)三菱電機(jī)GaN 1.4k 0

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    Elektron
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    樂鑫
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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