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文章:2001個(gè) 瀏覽:78995次 帖子:160個(gè)
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
從科幻走入現(xiàn)實(shí),人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默而深刻的技術(shù)革命:更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...
生成模型近年來發(fā)展迅猛,已經(jīng)表現(xiàn)出極強(qiáng)的真實(shí)感合成能力,在三維重建、AI繪畫、音視頻創(chuàng)作、可控圖像生成、真實(shí)圖像編輯等領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。
例如,多家半導(dǎo)體制造商開發(fā)了片上系統(tǒng) (SoC),其中包括整個(gè)射頻 (RF) 信號(hào)鏈和有源相控陣天線,該天線在微型封裝中集成了數(shù)十個(gè)元件。硅鍺(SiGe...
成果展示:具有1.1 kV級(jí)高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管
為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺(tái),優(yōu)化設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO...
? 3D對(duì)象的生成模型在VR和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中越來越受歡迎。但使用標(biāo)準(zhǔn)的3D表示(如體素或點(diǎn)云)來訓(xùn)練這些模型是具有挑戰(zhàn)性的,并且需要復(fù)雜的工具來進(jìn)行適當(dāng)...
用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1.8k 0
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后,您應(yīng)該對(duì)平面磁性技術(shù)的優(yōu)勢(shì)以及自動(dòng)化工作流程如何輕松...
2023-02-22 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體電力電子SiC 1.8k 0
效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn),尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來,第三代GaN半導(dǎo)...
一、術(shù)語 1、SiP:System-in-Package SiP是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),它將多個(gè)半導(dǎo)體器件、集成電路(IC)或其他電子組件,以及必要的輔助...
24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡(jiǎn)化電源BOM
24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表...
2022-10-19 標(biāo)簽:功率器件GaN電源環(huán)路 1.8k 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1.8k 0
摘要 本文報(bào)道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示,孔隙的密度隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加,而蝕刻時(shí)間對(duì)孔隙的大小和形狀沒...
最近,AlGaN/GaN肖特基二極管(SBD)受到了越來越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...
以碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高,碳化...
TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng),進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...
同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
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