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gan技術(shù)

使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度

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High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...

2024-04-18 標(biāo)簽:PFCGaN功率密度 2.7k 0

TI LMG3410R050 GaN功率放大級(jí)解決方案

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TI公司的LMG3410R050是具有過流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)...

2019-04-18 標(biāo)簽:tiGaN 2.7k 0

氮化鎵快充芯片U8725AHE的工作原理

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氮化鎵充電器的高功率密度,能在很小的體積里給出更高的功率,所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小,重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效,能量損失也少,充電速度就能變得更...

2025-07-18 標(biāo)簽:氮化鎵GaN快充芯片 2.7k 0

航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件(上)

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在中國(guó)深空探索及載人航天任務(wù)逐漸增多的背景下,對(duì)電能的需求也隨之上升,從而推動(dòng)了對(duì)宇航電源的高效率與小型化的設(shè)計(jì)需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟,既要為...

2024-01-04 標(biāo)簽:電源GaN航空 2.7k 0

集成氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器分析

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氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體,其開關(guān)速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開關(guān)...

2023-04-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2.7k 0

基于系統(tǒng)的可靠性保證實(shí)現(xiàn)GaN射頻功率器件產(chǎn)品的高可靠性

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氮化鎵射頻器件能夠突破硅基器件的理論極限,實(shí)現(xiàn)高頻率/寬頻帶、高功率、高電壓、高效率及高使用溫度的特性,而被逐漸廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信行業(yè)。移動(dòng)通訊基站要求...

2018-12-02 標(biāo)簽:射頻gan 2.7k 0

芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

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芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器,深受功放市場(chǎng)青睞,認(rèn)可度極高。

2024-11-08 標(biāo)簽:電源電源適配器氮化鎵 2.6k 0

TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

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TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...

2025-09-26 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 2.6k 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.6k 0

GaN晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景有哪些

GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...

2024-08-15 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 2.6k 0

什么叫氮化鎵異質(zhì)外延片?

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氮化鎵(GaN) 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料,因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV,又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器...

2023-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2.6k 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,它們?cè)诓牧?..

2024-08-15 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 2.6k 0

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隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...

2023-03-14 標(biāo)簽:電源SiCGaN 2.6k 0

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隨著云端大規(guī)模人工智能(AI)的迅速發(fā)展與部署,包括OpenAI開發(fā)的ChatGPT在內(nèi),越來越多高性能的、為特定目標(biāo)設(shè)計(jì)的AI處理器正被集成至數(shù)據(jù)中心...

2025-10-30 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心AIGaN 2.6k 0

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

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GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標(biāo)簽:電機(jī)控制功率器件氮化鎵 2.6k 0

氮化鎵是什么化合物類型

氮化鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...

2024-01-10 標(biāo)簽:傳感器光電器件化合物 2.6k 0

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

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如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC氮化鎵 2.6k 0

針對(duì)氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究

針對(duì)氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究

基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如Al...

2023-12-13 標(biāo)簽:蝕刻GaN離子 2.5k 0

氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)是什么

氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...

2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.5k 0

開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

電源常用的開關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件,不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器變換器 2.5k 0

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