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gan技術(shù)

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹

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數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng),而SiLM824...

2023-08-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件GaN 2.1k 0

深度學(xué)習(xí)是如何工作的?如何使用圖像處理來(lái)檢測(cè)圖像中的缺陷

制造業(yè)中任何公司的主要目標(biāo)都是為客戶生產(chǎn)無(wú)缺陷產(chǎn)品。如果在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中出現(xiàn)任何內(nèi)部孔、凹坑、磨損或劃痕(由于多種原因,從生產(chǎn)設(shè)備故障到惡劣的工作條件)...

2023-02-10 標(biāo)簽:編碼器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 2.1k 0

誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?

氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

2023-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2.1k 0

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成詳解

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基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過(guò)SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...

2025-07-18 標(biāo)簽:晶圓封裝GaN 2.1k 0

如何提高系統(tǒng)功率密度

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在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)摴β拭芏葧r(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...

2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.1k 0

GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)

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隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開(kāi)關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會(huì)有很大的...

2023-08-22 標(biāo)簽:變壓器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 2.1k 0

基于GD32F303的高頻DC/DC變換器解決方案

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車載充電器(OBC)是電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。

2023-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變換器DC-DC 2.1k 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

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化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽:集成電路二極管晶體管 2k 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

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對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...

2022-07-26 標(biāo)簽:FETGaN電源系統(tǒng) 2k 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!

碳化硅(SiC)技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過(guò)更快的開(kāi)關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 2k 0

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標(biāo)上的比較

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硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟,可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片,而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底(便宜但較大的晶...

2021-05-26 標(biāo)簽:微處理器晶體管氮化鎵 2k 0

基于氮化鎵的LED具有更低成本效益

過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司,已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛(ài)思強(qiáng))公司,并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...

2012-07-31 標(biāo)簽:LED氮化鎵晶片 2k 0

氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

氮化鎵(GaN)是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...

2023-02-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體化合物GaN 2k 0

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本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí),利用其作為器件表面鈍化層材料,本節(jié)即采用脈沖測(cè)試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標(biāo)簽:微波GaNHEMT 2k 0

探索GaN-on-Si技術(shù)難點(diǎn)

GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先,硅是地殼含量第二的元素,物理和化學(xué)性能良好,在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%;

2023-03-10 標(biāo)簽:led氮化鎵GaN 2k 0

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GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵(GaN-on-Si)目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽:射頻無(wú)線電氮化鎵 2k 0

65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

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隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS,相關(guān)中大功率快充方案?jìng)涫苁袌?chǎng)青睞。為了滿足市場(chǎng)新需求,晶豐明源通過(guò)不斷創(chuàng)新,推出了集成GaN磁耦...

2023-05-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器充電器寄存器 2k 0

GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。

2025-03-14 標(biāo)簽:SiCGaNMOS器件 2k 0

氮化鎵的重要性以及制備方法

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一...

2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 2k 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

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2023-09-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2k 0

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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