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      標(biāo)簽　>　gan

      文章：2001個 瀏覽：78990次 帖子：160個

      gan技術(shù)

      GAN又開辟了新疆界，MirrorGAN有多強？

      與基本圖像生成問題相反，T2I生成以文本描述為條件，而不是僅從噪聲開始。利用GAN的強大功能，業(yè)界已經(jīng)提出了不同的T2I方法來生成視覺上逼真的和文本相關(guān)...

      2019-03-18 標(biāo)簽：GaN鑒別器數(shù)據(jù)集 3.5k 0

      具有保護功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)

      氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

      2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3.5k 0

      德州儀器技術(shù)干貨 GaN 如何改進光伏充電控制器

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      本應(yīng)用簡報介紹 TI GaN 器件如何改進光伏充電控制器。與 MOSFET 相比，使用 TI GaN 器件可提高效率并減小 PCB 尺寸，而且不會增加 ...

      2025-07-28 標(biāo)簽：德州儀器電源轉(zhuǎn)換器GaN 3.4k 0

      利用GaN設(shè)計PFC整流器

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      傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關(guān)，通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今，大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性...

      2021-04-14 標(biāo)簽：整流器元器件GaN 3.4k 0

      采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

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      這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化...

      2021-12-13 標(biāo)簽：蝕刻GaN蝕刻工藝 3.4k 0

      德州儀器新型單級轉(zhuǎn)換器助力微型逆變器和便攜式電源設(shè)計

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      微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小...

      2025-08-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器逆變器FET 3.4k 0

      我們能獲得更好的音頻放大器嗎？是的，用氮化鎵！

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      音頻是一個復(fù)雜的應(yīng)用，尤其是對于發(fā)燒友領(lǐng)域各個層面的需求。最高端的音頻設(shè)備通常都價格高昂，不同類型的音頻放大器吸引了眾多用戶的追求，他們相信其選擇可以最...

      2020-04-23 標(biāo)簽：音頻放大器D類放大器GaN 3.4k 0

      用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能

      氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)...

      2016-05-09 標(biāo)簽：GaN集成驅(qū)動器共源電路 3.3k 0

      基于GaN光學(xué)芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)

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      與主流的復(fù)雜光學(xué)活細胞生物傳感技術(shù)（如 SPR 和 RWG）相比，基于GaN光學(xué)芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)，極大地降低了生物傳感器的設(shè)計、制造和實際使用中的...

      2022-04-29 標(biāo)簽：發(fā)光二極管GaN生物傳感器 3.3k 0

      確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法

      　　TI正在設(shè)計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破...

      2016-04-25 標(biāo)簽：德州儀器晶體管GaN 3.3k 0

      如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統(tǒng)的探測距離

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      雷達已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計人員來說，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠程雷達，因為在這種情況下，返回信...

      2025-04-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3.3k 0

      新一代半導(dǎo)體材料氧化鎵應(yīng)用研究

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      在所有其他參數(shù)相同的情況下，對于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因為導(dǎo)帶和價帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作...

      2022-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測量GaN 3.3k 0

      高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計

      氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...

      2022-09-19 標(biāo)簽：放大器RFGaN 3.3k 0

      ADI公司引領(lǐng)GaN技術(shù)

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      觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...

      2018-06-03 標(biāo)簽：adiGaN航空航天 3.3k 0

      射頻基礎(chǔ)知識問答題及答案

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      請教各位大佬們一個問題，把晶體管漏極寄生電容和電感去嵌以后做負載牽引，功率圓中心在實電阻處，但是最大效率圓心不在這個位置，這個是為什么呢？

      2023-11-03 標(biāo)簽：晶體管寄生電容GaN 3.2k 0

      AI正在創(chuàng)造一個獨特的虛擬（虛假）信息世界

      這一想法最初的來源其實是英偉達最近開源的 StyleGAN 算法，已經(jīng)證明有不錯的靈活性。Philip Wang 在其 Facebook 上介紹稱，人臉...

      2019-02-18 標(biāo)簽：AIGaN訓(xùn)練模型 3.2k 0

      GaN HEMT大信號模型

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      GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8...

      2023-05-24 標(biāo)簽：功率放大器GaNHEMT 3.2k 0

      淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

      氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點，被譽為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

      2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 3.2k 0

      絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

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      由于界面固定電荷沒有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaNHEMT 3.1k 0

      幫助理解GAN的內(nèi)部機制的交互式可視化工具

      而右側(cè)的數(shù)據(jù)分布視圖中，除了原先的綠點（真實樣本），我們還能看到一些紫點（生成樣本）。在訓(xùn)練過程中，生成樣本的位置持續(xù)更新，最終趨向于和真實樣本的分布重...

      2018-09-08 標(biāo)簽：圖像GAN可視化 3.1k 0

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        藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標(biāo)準(zhǔn)。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
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        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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        　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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        樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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        LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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        5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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      • HBT
        HBT
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        　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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