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文章:2001個(gè) 瀏覽:78988次 帖子:160個(gè)
如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的GaN器件
今天,永磁電機(jī),也稱為直流無(wú)刷電機(jī),應(yīng)用廣泛,與其他電機(jī)相比,可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動(dòng)態(tài)性能。迄今為止,硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...
2022-08-03 標(biāo)簽:逆變器GaN直流無(wú)刷電機(jī) 2.9k 0
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開(kāi)關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案,并提供應(yīng)...
產(chǎn)品拆解 | 綠聯(lián) 65W GaN 三口快充充電頭
從GaN快充到多協(xié)議功率管理,綠聯(lián)如何在小體積中實(shí)現(xiàn)65W輸出?從反激初級(jí)到同步整流,從協(xié)議主控到功率分配,其電路設(shè)計(jì)體現(xiàn)了怎樣的多口快充兼容性與動(dòng)態(tài)功...
廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺(tái)方案
廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開(kāi)發(fā)平臺(tái),集成...
2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 2.8k 0
GaN(氮化鎵)將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步
實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性,是高壓和高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展,相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。以SiC和G...
在單個(gè)器件上實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換
光電探測(cè)器和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器作為兩種典型的光電子器件,在光信息的感知和處理方面具有重要作用。
2023-11-04 標(biāo)簽:SEMGaN視覺(jué)傳感器 2.8k 0
基于模型的GaN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2.8k 0
大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問(wèn)題有解
近年來(lái)氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng),尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微...
用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的集成電路GaN逆變器
自問(wèn)世以來(lái),氮化鎵技術(shù)開(kāi)啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個(gè)最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場(chǎng)和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來(lái)時(shí),由于 GaN 晶...
2022-07-29 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 2.8k 0
尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
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