汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇成功舉辦| 聚焦ICS2023峰會(huì)

2023中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱:ICS2023峰會(huì)）于2023年9月21日至9月22日在深圳寶安區(qū)JW萬(wàn)豪酒店舉行。ICS2023峰會(huì)以“洞...

2023-09-25 標(biāo)簽：汽車芯片第三代半導(dǎo)體 1.3k 0

萬(wàn)年芯：三代半企業(yè)提速，碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代

英飛凌于近期宣布，其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè)，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠。無(wú)獨(dú)有偶，安...

2024-08-16 標(biāo)簽：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.2k 0

2023CESIS現(xiàn)場(chǎng)爆滿 新電源議題引關(guān)注

2023CESIS在3月24日盛大開啟，并取得圓滿成功。 備受電子行業(yè)同仁期待的2023'中國(guó)電子熱點(diǎn)解決方案創(chuàng)新峰會(huì)終于在3月24日盛大開啟...

2023-03-27 標(biāo)簽：電源元器件快充 1.2k 0

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作 ——2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行

11月27日， 由中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)與深圳市人民政府共同主辦，由中國(guó)科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導(dǎo)體有...

2021-11-29 標(biāo)簽：碳中和基本半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1.1k 0

萬(wàn)年芯：“國(guó)家隊(duì)”出手！各國(guó)角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展...

2024-08-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.1k 0

第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界...

2023-01-06 標(biāo)簽：micsig第三代半導(dǎo)體光隔離探頭 1.1k 1

半導(dǎo)體行業(yè)回暖，萬(wàn)年芯深耕高端封裝

2024年，近七成半導(dǎo)體公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)回暖，在第三代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇浪潮中，封測(cè)技術(shù)作為后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，作用愈發(fā)凸顯。萬(wàn)年芯憑借其在封裝測(cè)試領(lǐng)域夯...

2024-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測(cè)試碳化硅 1.1k 0

大基金三期豪擲3440億!半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誰(shuí)能抓住機(jī)遇?

低迷的半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來(lái)了一劑強(qiáng)心針。 日前，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“國(guó)家大基金三期”)注冊(cè)成立，注冊(cè)資本為3440億元，法定代...

2024-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 986 0

地?cái)偨?jīng)濟(jì)學(xué)家宋仕強(qiáng)：打造薩科微和金航標(biāo)雙品牌

一個(gè)是電子元器件產(chǎn)業(yè)萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)，一個(gè)是信息產(chǎn)業(yè)幾千億級(jí)市場(chǎng)；一個(gè)產(chǎn)品是信息社會(huì)必須用到的電子元器件，一個(gè)產(chǎn)品是射頻微波信號(hào)收發(fā)傳輸?shù)奶炀€連接器接插件。薩...

2023-04-06 標(biāo)簽：MOS管國(guó)產(chǎn)芯片第三代半導(dǎo)體 919 0

國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體看點(diǎn)盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，...

2023-06-14 標(biāo)簽：ledLED電源GaN 895 0

第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?

隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國(guó)都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國(guó)，多地都有相關(guān)大...

2024-12-27 標(biāo)簽：基座碳化硅第三代半導(dǎo)體 894 0

SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍！這場(chǎng)會(huì)議干貨來(lái)了

隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)...

2023-06-16 標(biāo)簽：SiCGaN第三代半導(dǎo)體 890 0

第三代半導(dǎo)體防震基座的技術(shù)難點(diǎn)有哪些？

高性能材料研發(fā)：需要具備更高阻尼性能、更低自然頻率、更好的耐腐蝕性和耐高溫性的特殊材料，如先進(jìn)的復(fù)合材料、特種合金等。目前部分高性能材料依賴進(jìn)口，限制了...

2024-12-27 標(biāo)簽：基座半導(dǎo)體設(shè)備第三代半導(dǎo)體 866 0