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      標(biāo)簽　>　第三代半導(dǎo)體

      第三代半導(dǎo)體

      +關(guān)注2人關(guān)注

      第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

      文章：125個(gè) 瀏覽：7766次 帖子：2個(gè)

      第三代半導(dǎo)體資訊

      國(guó)揚(yáng)公司成功通過(guò)江蘇省專(zhuān)精特新中小企業(yè)和市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心的認(rèn)定

      日前，江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專(zhuān)精特新中小企業(yè)名單（第二批），揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司成功入選；同時(shí)，國(guó)揚(yáng)公司也順利通過(guò)了揚(yáng)州市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心的認(rèn)...

      2022-12-14 標(biāo)簽：IGBTSiC功率模塊 2.6k 0

      威邁斯IPO上市觀察 深度研發(fā)賦能 成功解決行業(yè)難點(diǎn)

      在車(chē)載電源和電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)品領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)之一。不過(guò)，碳化硅功率器件在實(shí)際應(yīng)用中面臨著驅(qū)動(dòng)控制敏感、...

      2023-03-01 標(biāo)簽：ipo功率器件驅(qū)動(dòng)控制 2.4k 0

      如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

      如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

      如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...

      2022-08-02 標(biāo)簽：應(yīng)用氮化鎵碳化硅 2.3k 0

      Digi-Key Tony Ng：庫(kù)存變化催生芯片新需求，在挑戰(zhàn)中尋找新機(jī)遇

      Digi-Key Tony Ng：庫(kù)存變化催生芯片新需求，在挑戰(zhàn)中尋找新機(jī)遇

      又到歲末年初時(shí)，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專(zhuān)題，收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了Digi-Key...

      2023-12-27 標(biāo)簽：庫(kù)存DigiKey第三代半導(dǎo)體 2.1k 0

      2023年第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景

      速增長(zhǎng)的新能源市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體提出了更多需求，貴司在該領(lǐng)域采取了哪些策略？在市場(chǎng)應(yīng)用方面有哪些進(jìn)展？

      2023-02-28 標(biāo)簽：SiC第三代半導(dǎo)體 2k 0

      晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備

      晶盛機(jī)電戰(zhàn)略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場(chǎng)，圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，業(yè)務(wù)同時(shí)延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

      2023-02-27 標(biāo)簽：SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.9k 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

      國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

      8月29日-31日，上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿(mǎn)舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì)，本屆...

      2023-09-02 標(biāo)簽：MOSFET晶圓逆變器 1.9k 0

      瑞能半導(dǎo)體亮相SNEC 2023光伏展

      ? 瑞能半導(dǎo)體將亮相5月24-26日在上海新國(guó)際博覽中心盛大舉行的SNEC 2023光伏展（展位：N5-803），同全球從業(yè)者交流光伏產(chǎn)業(yè)未來(lái)市場(chǎng)趨勢(shì)分...

      2023-05-23 標(biāo)簽：光伏SBDSiC 1.8k 0

      薩科微slkor宋仕強(qiáng)：推動(dòng)IGBT市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素

      薩科微slkor宋仕強(qiáng)：推動(dòng)IGBT市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素

      薩科微slkor（www.slkoric.com）半導(dǎo)體總經(jīng)理宋仕強(qiáng)介紹，家電節(jié)能、電機(jī)節(jié)能與新能源等領(lǐng)域，成為推動(dòng)我國(guó)IGBT 市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素。...

      2023-04-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管IGBT國(guó)產(chǎn)芯片 1.7k 0

      碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)中主要應(yīng)用

      碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)中主要應(yīng)用

      第三代半導(dǎo)體技術(shù)以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技產(chǎn)業(yè)中引起廣泛關(guān)注，這兩個(gè)領(lǐng)域的結(jié)合，為我們帶來(lái)了前所未有的機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，將深刻改變我們的生...

      2023-11-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器OBS 1.7k 0

      SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇成功舉辦

      SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇成功舉辦

      加快第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)大中小企業(yè)融通發(fā)展。2022年7月27日，由北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司主辦的主題為“SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”，通...

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 1.7k 0

      山東半導(dǎo)體商會(huì)一屆二次大會(huì)暨首屆山東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會(huì)成功召開(kāi)

      2020年12月18日-19日，山東半導(dǎo)體商會(huì)一屆二次會(huì)員大會(huì)暨首屆山東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會(huì)在山東濰坊富華大酒店隆重召開(kāi)。 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)靳陽(yáng)葆執(zhí)行秘書(shū)長(zhǎng)...

      2021-03-02 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體MOS 1.7k 0

      聯(lián)電欲加快8英寸第三代半導(dǎo)體進(jìn)程，4月?tīng)I(yíng)收達(dá)51億人民幣

      據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，聯(lián)電近日大量購(gòu)入新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，今年下半年將入駐工廠，聯(lián)電此舉是為了加快第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的步伐。 據(jù)悉，此前聯(lián)電第三代半導(dǎo)體以6英寸氮化...

      2022-05-09 標(biāo)簽：聯(lián)電第三代半導(dǎo)體 1.6k 0

      第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)

      第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)

      近日，在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會(huì)上，基本半導(dǎo)體憑借在客戶(hù)端的優(yōu)異表現(xiàn)，榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)”。基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

      2024-04-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.6k 0

      8英寸Sic的研究進(jìn)程 GaN 2-4-6英寸的研究進(jìn)程

      硅晶圓正在從8英寸過(guò)渡到12英寸，更大的晶圓尺寸，意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多，晶圓邊緣的浪費(fèi)減少，單芯片成本降低。第三代半導(dǎo)體也不例外，都在...

      2023-02-28 標(biāo)簽：硅晶圓SiC第三代半導(dǎo)體 1.5k 0

      后摩爾時(shí)代，洞見(jiàn)第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)！

      后摩爾時(shí)代，洞見(jiàn)第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)！

      2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正...

      2023-05-30 標(biāo)簽：功率器件第三代半導(dǎo)體 1.5k 0

      基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)

      11月4-7日，2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)在廈門(mén)成功召開(kāi)。在同期舉行的第八屆中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀...

      2022-11-09 標(biāo)簽：DTS功率器件碳化硅 1.5k 0

      SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

      SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

      在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類(lèi)產(chǎn)品便宜得多，并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

      2023-10-08 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1.4k 0

      后摩爾時(shí)代，洞見(jiàn)第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)！

      后摩爾時(shí)代，洞見(jiàn)第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)！

      前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高...

      2023-05-30 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 1.4k 1

      薩科微slkor 國(guó)際化之初體驗(yàn)(上)

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      ?大家好，我叫宋仕強(qiáng)，是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來(lái)發(fā)展迅速，產(chǎn)品研發(fā)方面大投入，高端產(chǎn)品IGBT、電...

      2023-07-06 標(biāo)簽：三極管二極管穩(wěn)壓二極管 1.3k 0

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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