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第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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第三代半導(dǎo)體資訊

地產(chǎn)商“自救”，進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體！投資火熱，產(chǎn)能將會(huì)過(guò)剩？！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）日前，皇庭國(guó)際發(fā)布公告稱，其全資子公司皇庭基金近日簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，擬收購(gòu)意發(fā)功率合計(jì)14.43%股權(quán)，價(jià)格為8300萬(wàn)元...

2022-06-23 標(biāo)簽：三安光電第三代半導(dǎo)體 3.8k 0

2023年以來(lái)19起半導(dǎo)體收購(gòu)案，廠商加快構(gòu)建AI、第三代半導(dǎo)體版圖

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）根據(jù)IT桔子的數(shù)據(jù)，2022年集成電路行業(yè)發(fā)生了33起收購(gòu)，其中國(guó)內(nèi)24起，海外9起。在經(jīng)歷2022艱難的一年后，人們并沒(méi)有...

2023-08-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI 第三代半導(dǎo)體 3.8k 0

實(shí)現(xiàn)電流和控制信號(hào)分離，羅姆新型SiC封裝模塊助力實(shí)現(xiàn)更小型的xEV逆變器

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）憑借高頻、高壓、高效、高耐溫和低損耗的產(chǎn)品特性，目前第三代半導(dǎo)體SiC（碳化硅）器件已經(jīng)成為各行業(yè)打造電氣化方案的首選，進(jìn)...

2024-06-27 標(biāo)簽：逆變器 SiC 羅姆 3.6k 0

以產(chǎn)業(yè)論：中國(guó)靠第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)換道超車了嗎？能否突破美國(guó)“枷鎖”？

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，中國(guó)香港媒體的一篇報(bào)道引起了廣泛關(guān)注，文章的原標(biāo)題是《中國(guó)三代芯片換道超車，超越美國(guó)四方聯(lián)盟圍堵》。文章中有幾句...

2022-08-22 標(biāo)簽：碳化硅第三代半導(dǎo)體 3.6k 0

氮化鎵的“上車”空間，可能沒(méi)有想象中那么美好？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅在新能源汽車上如魚(yú)得水，同為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵，目前市場(chǎng)則主要集中在消費(fèi)電子領(lǐng)域，在消費(fèi)電子市場(chǎng)站穩(wěn)之后，其實(shí)業(yè)界...

2023-04-03 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵第三代半導(dǎo)體 3.6k 0

?？瓢雽?dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

國(guó)產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體：引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 ?？瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司碳化硅外延片新聞發(fā)布暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功中國(guó)蘇州，2022年11...

2022-11-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅外延片 3.5k 0

降低數(shù)據(jù)中心能耗，第三代半導(dǎo)體義不容辭

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）AI技術(shù)在近年快速發(fā)展，應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛的同時(shí)，也帶來(lái)了巨大的算力需求，數(shù)據(jù)中心建設(shè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，算力芯片功率越來(lái)越高，...

2024-06-29 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 3.4k 0

英飛凌潘大偉：看好汽車半導(dǎo)體和可再生能源增長(zhǎng)潛力，持續(xù)深耕中國(guó)市場(chǎng)

潘大偉表示，2023年是充滿變化與變革的一年，宏觀經(jīng)濟(jì)逐漸復(fù)蘇，科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)變革向縱深拓展，以ChatGPT為代表的人工智能加速驅(qū)動(dòng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，社會(huì)的...

2023-12-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌功率半導(dǎo)體 3.4k 0

第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號(hào)

? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡(jiǎn)稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開(kāi)。納微達(dá)斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”...

2025-03-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 3.3k 0

森國(guó)科榮膺2022年度中國(guó)SiC功率器件設(shè)計(jì)十強(qiáng)

NOM-FUNGIBLE TOKENS榮膺極光獎(jiǎng)中國(guó)SiC功率器件設(shè)計(jì)十強(qiáng) ? ? 2023年伊始，由行家說(shuō)三代半和行家說(shuō)Research主辦的全球第三...

2023-01-09 標(biāo)簽：功率器件 SiC 充電樁 3.2k 0

兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵...

2025-04-08 標(biāo)簽：mcu 功率半導(dǎo)體兆易創(chuàng)新 3.2k 0

2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起，碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性...

2024-01-09 標(biāo)簽：融資碳化硅第三代半導(dǎo)體 3.1k 1

“充電樁第一股”東微半導(dǎo)H1凈利超1億，第三代半導(dǎo)體等新品布局加速

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）近期，各大半導(dǎo)體公司相繼發(fā)布半年報(bào)，受益于消費(fèi)電子市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)，汽車產(chǎn)業(yè)鏈上的芯片公司大多交出亮眼的成績(jī)。以IGBT芯片...

2022-08-30 標(biāo)簽：充電樁第三代半導(dǎo)體 3.1k 0

安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動(dòng)力2025上海車展核心技術(shù)首秀

安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進(jìn)的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動(dòng)力(Horse Powertrain)首款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...

2025-04-29 標(biāo)簽：氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 3k 0

意法半導(dǎo)體：推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略，引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?；l(fā)展

???????? ? ??文章來(lái)源：行家說(shuō)三代半 ? ??作者：行家說(shuō)-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，并經(jīng)...

2025-04-10 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 SiC 第三代半導(dǎo)體 3k 0

矽電-泰克晶圓級(jí)探針測(cè)試測(cè)量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立

泰克科技（中國(guó)）有限公司和矽電半導(dǎo)體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會(huì)在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開(kāi)，同一時(shí)間，泰克（中國(guó)）和矽電半導(dǎo)體宣布測(cè)試測(cè)量聯(lián)合...

2023-06-16 標(biāo)簽：泰克實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體 3k 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2.9k 0

湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)展迅速第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠房主體相繼封頂

近日，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目（一期）Ⅰ標(biāo)段濺度廠房實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂。這是該項(xiàng)目繼M3器件封裝廠房、M4碳化硅長(zhǎng)晶廠房順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂之后，項(xiàng)目建設(shè)迎來(lái)的...

2021-01-22 標(biāo)簽：封裝碳化硅三安 2.8k 0

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證通過(guò)IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證通過(guò)IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級(jí)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得對(duì)應(yīng)的認(rèn)證，...

2022-10-17 標(biāo)簽：汽車電子 SiC GaN 2.7k 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 第三代半導(dǎo)體 2.6k 0

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