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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設(shè)計優(yōu)勢——第一部分
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料,品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個部分的博客系列中,我將討論這些新型...
應(yīng)用在LCD顯示器電源插頭里的氮化鎵(GaN)MTC-65W1C
LCD(Liquid Crystal Display)顯示器是利用液晶顯示技術(shù)來進行圖像表現(xiàn)的顯示裝置,從液晶顯示器的結(jié)構(gòu)來看,無論是筆記本電腦還是桌面...
PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立...
SuperTank Pro雙十一斬獲亮眼成績!征拓100W產(chǎn)品戰(zhàn)略大獲成功
SuperTank系列接連兩款產(chǎn)品傲視群雄,亮眼成績證明,Zendure征拓有搶占高性能移動電源市場的制勝邏輯。
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...
MicroLEDi籌資2500萬美元,進軍AR眼鏡用Micro LED技術(shù)領(lǐng)域
Micledi借助已于2020年籌集到的資金,成功驗證了在300mm晶圓上的制造工藝,同時展現(xiàn)出基于氮化鎵的藍色、綠色Micro LED光源具備與紅色光...
CGD:氮化鎵技術(shù)是實現(xiàn)高效率的“版本答案”
又到了歲末年初之際,回顧過去的2024年,半導體產(chǎn)業(yè)有增長也有陣痛,復盤2024年的半導體產(chǎn)業(yè)狀況,有哪些長足的進展又有哪些短板?展望2025年,半導體...
2024-12-25 標簽:氮化鎵 916 0
Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導體資產(chǎn)
近日,知名的高壓集成電路和高效功率變換方案提供商Power Integrations(PI)宣布了一項重大收購計劃。該公司將于2024年7月完成對垂直氮...
大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案
NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅(qū)動器,具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC...
2022-01-05 標簽:氮化鎵工業(yè)電源大聯(lián)大世平 912 0
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN,芯片...
前言曼科推出一款小火山智充艙桌面插排,這款插座采用柱狀外觀設(shè)計,一側(cè)設(shè)有兩個新國標五孔插孔,另一側(cè)設(shè)有2C1A快充接口,支持最大65W快充輸出,總體負載...
作為Fab-Liter戰(zhàn)略的一部份,安森美剝離晶圓制造廠
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略,最終目標是通過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)...
電力電子行業(yè)專家領(lǐng)導齊聚蘇州,共話行業(yè)發(fā)展新方向
由愛戴愛集團主辦,《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站將于10月25-26號蘇州會議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會蘇州站...
QR模式一般工作在變頻模式下,根據(jù)負載大小改變變換器的頻率。當負載變輕時,變換器的頻率會增加,以適應(yīng)輕載條件下的高效運行。QR模式通過檢測原邊電流和電壓...
GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)...
2023-09-28 標簽:氮化鎵 903 0
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE,同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下...
CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽w公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...
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