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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2024-09-13 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 851 0

光激發(fā)藍(lán)紫光VCSEL技術(shù)

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GaN：一場(chǎng)真正的革命

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2022-08-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 848 0

聞泰科技助力浩思動(dòng)力閃耀2025上海車(chē)展

近日，在2025上海國(guó)際車(chē)展上，吉利與雷諾合資的浩思動(dòng)力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)搭載聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的氮化鎵器件，憑借高...

2025-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵聞泰科技 842 0

氮化鎵是否能成為電子快充市場(chǎng)的佼佼者？

早在2019年，做為3C配件市場(chǎng)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的香港電子展，我們就已經(jīng)察覺(jué)到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢(shì)頭：2019年4月份春節(jié)展，8款氮化鎵充電器新品參展；而到...

2023-08-23 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 837 0

CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動(dòng)超百億美元新能源車(chē)主驅(qū)逆變器市場(chǎng)

通過(guò)將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝，實(shí)現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日，英國(guó)劍橋訊——Cambridge GaN ...

2025-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵 834 0

混合式氮化鎵VCSEL的研究

在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長(zhǎng)?AlN/GaN DBR?...

2025-02-19 標(biāo)簽：氮化鎵 VCSEL 834 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？

GaN 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號(hào)，使其成為 5G 基站...

2023-05-15 標(biāo)簽：氮化鎵 5G網(wǎng)絡(luò) 831 0

科雅X2安規(guī)電容用于良工67W氮化鎵快充插座

良工（lengon）是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌，始創(chuàng)于1990年，其產(chǎn)品主要包括電源插座、轉(zhuǎn)換器、墻壁開(kāi)關(guān)等。

2024-09-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵快充 826 0

功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的？

隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲(chǔ)等服務(wù)提供支持，處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大，電力需求也隨之增長(zhǎng)。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下，如何...

2023-06-05 標(biāo)簽：MOSFET 功率轉(zhuǎn)換器 IGBT 826 0

InnoSwitch IC銷(xiāo)量突破10億顆! Power Integrations繼續(xù)保持良好勢(shì)頭

InnoSwitch器件體現(xiàn)了Power Integrations的承諾，那就是：在實(shí)現(xiàn)技術(shù)上行業(yè)率先創(chuàng)新的同時(shí)，降低能耗并減少電子制造中有害物質(zhì)的使用。

2020-10-26 標(biāo)簽：服務(wù)器 Power 氮化鎵 826 0

貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)

貿(mào)澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴(kuò)展頻率范圍，并在13.75至14.5GHz的標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)55W的飽和輸出功率。

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氮化鎵適配器超級(jí)擴(kuò)展塢方案的簡(jiǎn)介

SWIECH游戲機(jī)便攜式底座大家眾所周知。投屏到TV上或者顯示器上，大屏玩游戲體驗(yàn)感更加。 SWITCH游戲機(jī)投屏?xí)r，必須接上適配器，攜帶不方便?，F(xiàn)在市...

2022-02-28 標(biāo)簽：擴(kuò)展塢氮化鎵 822 0

GaN是否可靠？

2023-12-05 標(biāo)簽：電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 815 0

長(zhǎng)電科技加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)解決方案營(yíng)收有望大幅增長(zhǎng)

新能源汽車(chē)和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...

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SiC與GaN技術(shù)專利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇

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氮化鎵的技術(shù)日漸壯大

氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高...

2023-11-07 標(biāo)簽：led 電源適配器氮化鎵 807 0

回顧大佬對(duì)于氮化鎵技術(shù)的看法

GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率，使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 806 0

氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯...

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突破電力效能邊界：ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場(chǎng)！

?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（...

2025-02-18 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 797 0

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