GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)

氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過(guò)加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應(yīng)對(duì)凈零...

2021-12-21 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 782 0

氮化鎵推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。

2020-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 781 0

納微半導(dǎo)體聯(lián)手Virtual Forest實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)碳凈零

納微半導(dǎo)體宣布，其先進(jìn)的GaNFast?氮化鎵功率芯片已被Virtual Forest公司采納，該公司是印度市場(chǎng)上消費(fèi)類(lèi)電器、流體運(yùn)動(dòng)和移動(dòng)領(lǐng)域的佼佼者...

2024-05-06 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 779 0

氮化鎵快充芯片U8733L的特征

恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)...

2025-05-29 標(biāo)簽：電流氮化鎵快充芯片 772 0

買(mǎi)家現(xiàn)身！這家氮化鎵晶圓代工廠收到10億元競(jìng)標(biāo)

來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體 7月底，總部位于比利時(shí)奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請(qǐng)破產(chǎn)，近日傳出...

2024-08-29 標(biāo)簽：晶圓代工廠氮化鎵 771 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵成為電子領(lǐng)域的焦點(diǎn)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來(lái)了革命性的...

2023-10-11 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 769 0

GaN能否安全地提供快速充電和效率

　　關(guān)于氮化鎵（GaN）衍生功率器件的可行性，人們一直在進(jìn)行無(wú)休止的猜測(cè)和相當(dāng)多的懷疑，但Dialog半導(dǎo)體認(rèn)為它已經(jīng)破解了它?；贕aN的功率器件具有...

2022-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 766 0

中芯聚源考察團(tuán)到訪“武漢鑫威源”

據(jù)悉，10 月 17 日， 中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司 （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中芯聚源”）董事長(zhǎng)高永崗、董事總經(jīng)理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...

2024-10-22 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體激光器中芯聚源 764 0

不知道該如何選擇氮化鎵芯片？

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件?？梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線(xiàn)充電等領(lǐng)域，可...

2023-10-27 標(biāo)簽：芯片控制器氮化鎵 758 0

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733的區(qū)別

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...

2025-04-23 標(biāo)簽：封裝氮化鎵電源芯片 756 0