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標簽 > 開關損耗
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一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。...
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗...
電源開關損耗是電子電路中一個重要的性能指標,它反映了開關器件在開關過程中產生的能量損失。準確測量電源開關損耗對于優(yōu)化電路設計、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的開關...
IGBT模塊的開關損耗(動態(tài)損耗)與導通損耗(靜態(tài)損耗)的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設計的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關系:降低導通損耗通常需要提高載...
通過驅動器源極引腳改善開關損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅動方法
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗,但不同的應用其降低損耗的...
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