MOS管的開關損耗計算

CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。

2023-07-17 標簽：開關電源MOS管DCM 1.8萬 0

幾種典型的軟開關電路分享

目前電力電子設備的發(fā)展趨勢都是小型化，同時對裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設備向著高頻化的方向發(fā)展，這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...

2023-04-11 標簽：變壓器開關電路濾波器 1.6萬 0

開關電源調試一般設計要求與要求

1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載,重載,容性負載),輸出短路,動態(tài)負載,高溫等情

2017-09-24 標簽：變壓器電源管理開關損耗 1.2萬 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

在調寬狀態(tài)當占空比較小的時候，由圖 2可知調寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅動信號有很長一段時間處于低電平，諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標簽：MOS管LLC功率電路 1.1萬 0

MOSFET開關損耗的計算方法

MOS管在電源應用中作為開關用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標簽：電源MOSFET電容 1.1萬 0

基于CMM下開關損耗和反激開關損耗分析以及公式計算

1、CCM 模式開關損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。

2018-01-13 標簽：cmm開關損耗 1.1萬 0

入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

對于電網(wǎng)轉換、電動汽車或家用電器等高功率應用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，包括更快的開關速度、更高的電流密...

2018-07-04 標簽：MOSFETSiC開關損耗 1.0萬 0

通過AI嵌入實現(xiàn)EV范圍提高多達12％

Pre-Switch通過將AI嵌入到FPGA中來解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標簽：fpgaAI開關損耗 9.9k 0

開關損耗的準確測量

一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。

2019-07-31 標簽：開關電源開關損耗 6.8k 0

有源鉗位反激轉換器如何比傳統(tǒng)QRF運行得更快

QRF 功率轉換器是 150W 或更低輸出功率范圍內的低功率離線應用的熱門選擇，原因有很多

2022-08-10 標簽：轉換器電源轉換器開關損耗 6.4k 0

提升電源效率帶LLC的PFC常規(guī)模擬控制設計解決方案

最近幾十年，電源的效率要求發(fā)展迅猛，與曾經(jīng)教科書中描述的要求大相徑庭，實現(xiàn)既定額定條件下的高效率只是設計的第一步，而真正完全合格且具有競爭力的電源設計必...

2020-12-18 標簽：電源設計EMI濾波器LLC 6.3k 0

MOS管的開關損耗計算

MOS 管的開關損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。

2023-07-23 標簽：MOSFETMOS管功率損耗 6k 0

詳解MOS管的米勒效應、開關損耗、導通損耗、續(xù)流損耗

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-08-21 標簽：MOSFET場效應管MOS管 5.8k 0

一文徹底了解MOS管

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-07-05 標簽：三極管MOSFETMOS管 5.3k 0

DC-DC開關頻率的選擇(2)

引言：上節(jié)（傳送門：DC-DC-21：如何選擇DC-DC的開關頻率-1簡述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素，本節(jié)簡述開關頻率的另一個選擇考...

2023-07-04 標簽：PCBDC-DC開關頻率 4k 0