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      標(biāo)簽　>　開(kāi)關(guān)損耗

      開(kāi)關(guān)損耗

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      開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)

      mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

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      Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

      2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 1.4k 0

      開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中時(shí)間偏移對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響分析

      開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中時(shí)間偏移對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響分析

      開(kāi)關(guān)器件的功率損耗是開(kāi)關(guān)器件評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是許多示波器選配的高級(jí)分析功能。事實(shí)上，雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗程度測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，...

      2018-02-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)損耗 1.4k 0

      深度剖析開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的各種損耗

      開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

      2023-01-29 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1.3k 0

      探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其1

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      上一篇文章介紹了輸入電壓升高時(shí)損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對(duì)策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET輸出電流開(kāi)關(guān)損耗 1.3k 0

      STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

      STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

      STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進(jìn)、專(zhuān)有的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...

      2025-10-15 標(biāo)簽：IGBT續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 1.2k 0

      通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳將開(kāi)關(guān)損耗降低約35%

      通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳將開(kāi)關(guān)損耗降低約35%

      －接下來(lái)，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引...

      2023-02-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器引腳開(kāi)關(guān)損耗 1.1k 0

      通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項(xiàng)

      通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項(xiàng)

      本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。

      2023-02-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電路板布線 1.1k 0

      如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

      如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

      MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成；開(kāi)關(guān)...

      2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET變換器寄生電容 1.1k 0

      通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果

      通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果

      本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以提高導(dǎo)通速度。

      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 1.1k 0

      MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

      MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

      MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...

      2023-04-10 標(biāo)簽：ledMOSFET晶圓 1k 0

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