--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- N/P N
- BVdss 40V
- ID 198A
- Vgs ±20V
- Rds-on 0.8mΩ
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46
產(chǎn)品型號:ZK30N100G V DSS:30 V GS (th)_:1.5 典型導(dǎo)通電阻:3.8 -
中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28
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中科微電ZK21312025-10-17 10:10
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中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55
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中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45
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中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20
產(chǎn)品型號:ZK60N20DG BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:27 -
中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13
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中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59
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中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級2025-09-25 09:30
產(chǎn)品型號:ZK60G270G 封裝:PDFN5x6 批次:2025+ BVDSS:60V Id:270A -
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17
產(chǎn)品型號:ZK100G325TL BVdss:100 ID:411 Vgs:±20 電阻:0.98
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ZK40N100G:PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標桿2025-11-05 16:30
在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計中,MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn),是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管,以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持,精準適配消費電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的大功率需求,成為兼顧“強性能、小體積、高效率”的優(yōu)選器件,為電路設(shè)計突破空間與能效瓶頸提127瀏覽量 -
中科微電ZK60N04NF:DFN封裝加持的中低壓功率控制核心2025-11-05 16:15
在中低壓功率電子系統(tǒng)中,MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實用化的N溝道MOS管,以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝的精準組合,在消費電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換電路中脫穎而出,成為平衡性能、成本與空間的核心元器件,彰顯了功率器件“按需定制”的研發(fā)理念。110瀏覽量 -
中科微電ZG2131:賦能單相系統(tǒng)的高耐壓驅(qū)動芯片新選擇2025-11-05 11:40
ZG2131單相驅(qū)動芯片憑借300V高耐壓、10V-20V寬電源適配、1.0A/1.5A強勁驅(qū)動等核心優(yōu)勢,搭配SOP8緊湊封裝,在眾多驅(qū)動芯片中脫穎而出,成為小家電、工業(yè)控制、照明電源等領(lǐng)域的優(yōu)選方案,為單相系統(tǒng)的性能升級提供了有力支撐。55瀏覽量 -
中科微電ZK60N04NF:N溝槽MOS管中的場景適配專家2025-11-05 11:24
在功率半導(dǎo)體的細分賽道中,MOS管的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標注“N溝槽”屬性的MOS管,以60V額定電壓、40A額定電流與DFN5*6封裝的精準組合,成為銜接中低壓功率場景與工程實踐的關(guān)鍵元器件。它既承載著N溝槽結(jié)構(gòu)的天然優(yōu)勢,又通過參數(shù)優(yōu)化與封裝創(chuàng)新,在工業(yè)控制、汽車電子、消費電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出強勁的適配能力,為66瀏覽量 -
中科微電ZK150G05T:中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新2025-11-04 16:27
中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T,以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標簽,精準匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求,其參數(shù)設(shè)計與應(yīng)用表現(xiàn),為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。336瀏覽量 -
中科微電ZK150G09T:SGT工藝驅(qū)動的中壓小封裝MOSFET創(chuàng)新實踐2025-11-04 16:20
中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T,以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT(屏蔽柵溝槽)工藝為核心特征,精準匹配中壓場景的小型化與高效化訴求,其技術(shù)設(shè)計與應(yīng)用表現(xiàn),為理解中壓小封裝功率器件的發(fā)展邏輯提供了典型范例。123瀏覽量 -
ZK150G130B:SGT工藝加持的中壓功率控制新選擇2025-11-04 16:00
在60V-200V中壓功率電子領(lǐng)域,無論是工業(yè)自動化中的電機驅(qū)動,還是新能源場景下的儲能變流,都對MOSFET提出了“大電流承載、低能量損耗、小封裝適配”的三重訴求。中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G130B,以150V耐壓、132A連續(xù)電流、TO-263-2L薄型封裝及SGT(屏蔽柵溝槽)工藝為核心特征,精準匹配中壓場景的性能痛點,其技術(shù)設(shè)計與75瀏覽量 -
ZK150G002B:SGT工藝賦能的中壓大電流MOSFET技術(shù)解析2025-11-04 15:20
在60V-200V中壓功率控制場景中,如工業(yè)電機驅(qū)動、新能源儲能、大功率電源等領(lǐng)域,對MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與封裝適配性提出了嚴苛要求。中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G002B,以150V耐壓、200A電流、TO-220封裝及SGT(屏蔽柵溝槽)工藝為核心標簽,構(gòu)建起“高壓耐受、大流低耗”的性能特征,成為中壓大電流場景下功率控制的97瀏覽量 -
中科微電:MOS管原廠實力,為產(chǎn)業(yè)筑牢功率控制“芯”基石2025-11-03 16:25
在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中,“原廠”身份意味著技術(shù)源頭、品質(zhì)可控與服務(wù)保障的三重核心價值。中科微電作為國內(nèi)資深的MOS管(場效應(yīng)管)原廠,深耕功率器件領(lǐng)域十余年,構(gòu)建了從芯片設(shè)計、晶圓制造協(xié)同、封裝測試到終端應(yīng)用的全鏈條服務(wù)體系,以自主核心技術(shù)與規(guī)?;a(chǎn)能力,為工業(yè)控制、新能源、消費電子等領(lǐng)域提供高可靠、高性價比的MOS管產(chǎn)品,成為產(chǎn)業(yè)鏈上下游信賴的核心合作伙伴。857瀏覽量 -
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上傳時間:2025-10-22 17:55
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