中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級

MOS管場效應管

型號： ZK60G270G

--- 產品參數(shù) ---

封裝 PDFN5x6
批次 2025+
BVDSS 60V
Id 270A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

ZK60G270G.pdf

--- 產品詳情 ---

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產品文章資料

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產品型號：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8
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產品型號：ZK2131 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V/3.3V 封裝：SOP8
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產品型號：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±20 Typ：1.64
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產品型號：ZK60G270G 封裝：PDFN5x6 批次：2025+ BVDSS：60V Id：270A
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產品型號：ZK100G325TL BVdss：100 ID：411 Vgs：±20 電阻：0.98

中科微電ZK30N140T：Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標桿2025-10-31 14:55

在功率半導體領域，中科微電憑借多年技術積淀，持續(xù)推出契合市場需求的核心器件。針對低壓大電流場景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點，中科微電重磅推出N溝道MOS管ZK30N140T。

MOS 場效應管電子元器件驅動芯片
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ZK60G120T：SGT+小型化封裝，60V/120A功率控制的破局者2025-10-31 14:47

ZK60G120T以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基底，融合屏蔽柵（SGT）核心技術與PDFN5x6-8L超薄封裝，構建起“高性能+小體積”的雙重優(yōu)勢，成為中低壓大電流領域的新一代標桿。

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ZK30G011G：Trench工藝加持的30V/160A低壓大電流功率新星2025-10-31 14:28

ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場景設計的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領域的優(yōu)選方案。

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ZK60G120T：SGT+PDFN封裝，60V/120A功率器件的小型化革命2025-10-31 14:09

在消費電子快充、車載電源、工業(yè)伺服驅動等中低壓大電流場景中，功率器件正面臨“大電流承載”與“小型化設計”的雙重訴求。ZK60G120T這款N溝道MOSFET，以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基礎，創(chuàng)新融合屏蔽柵（SGT）技術與PDFN5x6-8L超薄封裝，既突破了傳統(tǒng)器件“大電流必大體積”的瓶頸，又實現(xiàn)了低損耗與高可靠性的平衡，成為中低壓大電流

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ZK150G002TP：SGT技術賦能的150V高壓大電流MOSFET標桿2025-10-31 11:03

在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應用場景中，MOSFET的性能直接決定了整個系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術的N溝道MOSFET，以150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù)，成為高壓功率控制領域的核心優(yōu)選器件，為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關解決方案。

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中科微電ZK4030DG：N+P MOS管領域的Trench工藝性能典范2025-10-30 10:49

在MOS管技術持續(xù)演進的當下，高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對功率半導體技術的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。該產品搭載先進的Trench（溝槽）工藝，采用PDFN5x6-8L緊湊封裝，在電壓、電流、損耗控制等核心參數(shù)上表現(xiàn)亮眼，為汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等多領域的電路設計提供了高效解決方案，成為N+P

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160A大電流賦能低壓場景：中科微電ZK30G011Q MOS管技術解析2025-10-30 10:16

在低壓大電流功率控制領域，器件的電流承載能力、能效水平與小型化適配性成為衡量性能的核心指標。中科微電推出的ZK30G011Q N溝道MOS管，憑借30V耐壓與160A超大電流的參數(shù)突破，結合Trench工藝與緊湊封裝設計，為消費電子、工業(yè)控制等場景提供了高效穩(wěn)定的功率開關解決方案，重新定義了低壓大電流器件的性能邊界。

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雙向控制賦能低壓場景：中科微電ZK4030DS MOS管技術解析與應用探索2025-10-28 15:34

一、參數(shù)解構：N+P雙溝道的性能優(yōu)勢在低壓功率電子領域，對器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴苛，中科微電ZK4030DS作為一款N+P溝道互補型MOS管，其參數(shù)組合精準契合低壓場景的核心需求，為雙向能量管理與電路簡化提供了優(yōu)質解決方案。從電壓與電流承載維度來看，ZK4030DS呈現(xiàn)出鮮明的雙溝道特性：N溝道部分具備40V的正向漏源擊穿電壓（B

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雙溝道賦能低壓場景：中科微電ZK3010DSMOS管技術解析與應用探索2025-10-28 13:49

在低壓電子系統(tǒng)中，對功率器件的雙向控制能力、低功耗與小型化需求日益迫切，傳統(tǒng)單溝道MOS管往往需要多器件搭配才能實現(xiàn)雙向電流管理，不僅增加電路復雜度，還占用更多PCB空間。中科微電精準洞察這一痛點，推出ZK3010DS N+P溝道互補型MOS管，憑借30V/-30V雙向耐壓、5.8A/-12A電流承載、低至1.85V/-1.5V的柵極閾值電壓，結合Trenc

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隨著電子設備向高功率、小型化、高效能方向快速迭代，功率MOS管作為能量轉換與控制的核心部件，其性能表現(xiàn)直接決定了整機的運行效率與可靠性。在中高壓、中大功率應用場景中，如何平衡電壓承載、電流控制、能量損耗與穩(wěn)定性，成為行業(yè)研發(fā)的核心課題。中科微電作為國內功率半導體領域的技術先行者，憑借對SGT（屏蔽柵溝槽）工藝的深度鉆研，推出了ZK150G09T N溝道MOS

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